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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | E28F200CV-T60 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類(lèi)： | PROM |
| 英文描述： | 2-MBIT SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
| 中文描述： | 256K X 8 FLASH 5V PROM, 110 ns, PDSO48 |
| 封裝： | 12 X 20 MM, TSOP-48 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 40/55頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 636K |
| 代理商： | E28F200CV-T60 |
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2-MBIT SmartVoltage BOOT BLOCK FAMILY
E
40
SEE NEW DESIGN RECOMMENDATIONS
4.7
AC Characteristics
—CE#-Controlled Write Operations
(1, 12)
—Commercial
Prod
BV-60
Sym
Parameter
V
CC
3.3 ± 0.3 V
(9)
5 V ± 5%
(10)
5 V ± 10%
(11)
Unit
Load
50 pF
30 pF
100 pF
Note
Min
Max
Min
Max
Min
Max
t
AVAV
Write Cycle Time
110
60
70
ns
t
PHEL
RP# High Recovery to CE#
Going Low
0.8
0.45
0.45
μs
t
WLEL
WE# Setup to CE# Going Low
0
0
0
ns
t
PHHEH
Boot Block Lock Setup to CE#
Going High
V
PP
Setup to CE# Going High
6,8
200
100
100
ns
t
VPEH
5,8
200
100
100
ns
t
AVEH
Address Setup to CE# Going
High
3
90
50
50
ns
t
DVEH
Data Setup to CE# Going High
4
90
50
50
ns
t
ELEH
CE# Pulse Width
90
50
50
ns
t
EHDX
Data Hold Time from CE# High
4
0
0
0
ns
t
EHAX
Address Hold Time from CE#
High
3
0
0
0
ns
t
EHWH
WE # Hold Time from CE# High
0
0
0
ns
t
EHEL
CE# Pulse Width High
20
10
20
ns
t
EHQV1
Duration of Word/Byte
Programming Operation
2,5
6
6
6
μs
t
EHQV2
Erase Duration (Boot)
2,5,6
0.3
0.3
0.3
s
t
EHQV3
Erase Duration (Param)
2,5
0.3
0.3
0.3
s
t
EHQV4
Erase Duration(Main)
2,5
0.6
0.6
0.6
s
t
QVVL
V
PP
Hold from Valid SRD
5,8
0
0
0
ns
t
QVPH
RP# V
HH
Hold from
Valid SRD
6,8
0
0
0
ns
t
PHBR
Boot-Block Lock Delay
7,8
200
100
100
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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