參數(shù)資料
型號： E28F256J3C-125
廠商： Intel Corp.
英文描述： Intel StrataFlash Memory (J3)
中文描述： 英特爾StrataFlash存儲(chǔ)器（J3）
文件頁數(shù)： 17/72頁
文件大?。?/td> 905K
代理商： E28F256J3C-125
256-Mbit J3 (x8/x16)
Datasheet
17
GND
Supply
GROUND:
Do not float any ground signals.
NC
—
NO CONNECT:
Lead is not internally connected; it may be driven or floated.
RFU
—
RESERVED
for
FUTURE USE:
Balls designated as RFU are reserved by Intel for future device
functionality and enhancement
.
Table 3. Signal Descriptions (Sheet 2 of 2)
Symbol
Type
Name and Function
相關(guān)PDF資料
PDF描述
E28F256J3C-150 Intel StrataFlash Memory (J3)
E28F256J3C-110 Intel StrataFlash Memory (J3)
E28F128J3C-110 Intel StrataFlash Memory (J3)
E28F640J3C-110 Intel StrataFlash Memory (J3)
E28F640J3A-120 3 Volt Intel StrataFlash Memory
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
E28F256J3C-150 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Memory (J3)
E28F320J3A110 制造商:Intel 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 32M-Bit 4M x 8/2M x 16 110ns 56-Pin TSOP Tray 制造商:Intel 功能描述:NOR Flash, 2M x 16, 56 Pin, Plastic, TSSOP
E28F320J3A-110 制造商:Intel 功能描述:NOR Flash, 2M x 16, 56 Pin, Plastic, TSSOP
E28F320J3A110SL5FS 功能描述:IC FLASH 32MBIT 110NS 56TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:150 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DFN（2x3） 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1445 (CN2011-ZH PDF)
E28F320J3A-115 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Memory (J3)
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