參數(shù)資料
型號: EDB102S
廠商: RECTRON LTD
元件分類: 橋式整流
英文描述: GLASS PASSIVATED SUPER FAST SILICON SURFACE MOUNT BRIDGE RECTIFIER (VOLTAGE RANGE 50 to 400 Volts CURRENT 1.0 Ampere)
中文描述: 1 A, 100 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
封裝: PLASTIC, DB-S, 4 PIN
文件頁數(shù): 4/5頁
文件大?。?/td> 213K
代理商: EDB102S
Mounting Pad Layout
Dimensions in inches and (millimeters)
.410 Max.
(10.4 Max.)
.042 Min.
(1.10 Min.)
.060 Min.
(1.52 Min.)
.205 (5.2)
.195 (5.0)
相關PDF資料
PDF描述
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EDF1CS 1 A, 150 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
EDB102S-C 功能描述:橋式整流器 1A 100V 50ns SM GP RoHS:否 制造商:Vishay 產(chǎn)品:Single Phase Bridge 峰值反向電壓:1000 V 最大 RMS 反向電壓: 正向連續(xù)電流:4.5 A 最大浪涌電流:450 A 正向電壓下降:1 V 最大反向漏泄電流:10 uA 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 長度:30.3 mm 寬度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:SIP-4 封裝:Tube
EDB102S-T 功能描述:整流器 1A 100V 50ns SM GP RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel
EDB102S-T-S-NT 功能描述:橋式整流器 DIPBridge,SM,GP,NT 1A,100V,50ns RoHS:否 制造商:Vishay 產(chǎn)品:Single Phase Bridge 峰值反向電壓:1000 V 最大 RMS 反向電壓: 正向連續(xù)電流:4.5 A 最大浪涌電流:450 A 正向電壓下降:1 V 最大反向漏泄電流:10 uA 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 長度:30.3 mm 寬度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:SIP-4 封裝:Tube
EDB102S-T-S-NT-T 功能描述:橋式整流器 1A 100V 50ns SM GP RoHS:否 制造商:Vishay 產(chǎn)品:Single Phase Bridge 峰值反向電壓:1000 V 最大 RMS 反向電壓: 正向連續(xù)電流:4.5 A 最大浪涌電流:450 A 正向電壓下降:1 V 最大反向漏泄電流:10 uA 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 長度:30.3 mm 寬度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:SIP-4 封裝:Tube
EDB102S-T-T 功能描述:橋式整流器 1A 100V 50ns SM GP RoHS:否 制造商:Vishay 產(chǎn)品:Single Phase Bridge 峰值反向電壓:1000 V 最大 RMS 反向電壓: 正向連續(xù)電流:4.5 A 最大浪涌電流:450 A 正向電壓下降:1 V 最大反向漏泄電流:10 uA 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 長度:30.3 mm 寬度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:SIP-4 封裝:Tube