參數(shù)資料
型號： EDB105
廠商： RECTRON LTD
元件分類： 橋式整流
英文描述： GLASS PASSIVATED SUPER FAST SILICON SURFACE MOUNT BRIDGE RECTIFIER
中文描述： 1 A, 300 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
封裝： PLASTIC, DB-1, 4 PIN
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 224K
代理商： EDB105
GLASS PASSIVATED SUPER FAST
SILICON SURFACE MOUNT BRIDGE RECTIFIER
VOLTAGE RANGE 50 to 400 Volts CURRENT 1.0 Ampere
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25 oC ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
EDB101
THRU
EDB106
DB-1
Dimensions in inches and (millimeters)
FEATURES
* Surge overload rating - 30 amperes peak
* Ideal for printed circuit board
* Reliable low cost construction utilizing molded
* Glass passivated device
* Polarity symbols molded on body
* Mounting position: Any
* Weight: 1.0 gram
* Good for automatic insertion
* UL listed the recongnized component directory,file #94233
* Epoxy: Device has UL flammability classification 94V-O
MECHANICAL DATA
MAXIMUM RATINGS (At TA = 25
oC unless otherwise noted)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (At TA = 25
oC unless otherwise noted)
2006-11
REV:B
RATINGS
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Bridge Input Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Peak Forward Surge Current 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load (JEDEC method)
Operating and Storage Temperature Range
SYMBOL
VRRM
VDC
IO
IFSM
TJ,TSTG
VRMS
Volts
Amps
1.0
30
-55 to + 150
0
C
pF
UNITS
Maximum Average Forward Output Current at TA = 55
oC
50
200
100
300
400
35
105
140
70
210
280
Volts
Amps
EDB101
EDB103
EDB104
EDB102
EDB105
EDB106
EDB101
EDB103
EDB104
EDB102
EDB105
EDB106
50
150
200
100
300
400
DC Blocking Voltage per element
CHARACTERISTICS
V
trr
F
SYMBOL
IR
UNITS
1.05
1.35
1.70
100
m
Amps
nSec
m
Amps
at 1.0A DC
Maximum Forward Voltage
Maximum Reverse Recovery Time (Note 1)
Volts
@TA = 25
oC
@TA = 100
oC
5.0
R q J A
0
C/W
R q J L
Typical Thermal Resistance (Note 3)
Note: 1.Test Conditions: IF=0.5A,IR=-1.0A,IRR=-0.25A.
2.Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0 volts.
3.Thermal Resistance : Mounted on PCB.
38
12
50
CJ
Typical Junction Capacitance (Note 2)
15
10
Maximum Reverse Current at Rated
.205 ( 5.2 )
.195 ( 5.0 )
.165 ( 4.2 )
.155 ( 3.9 )
.135 ( 3.4 )
.115 ( 2.9 )
.335 ( 8.51 )
.320 ( 8.12 )
.350 ( 8.9 )
.300 ( 7.6 )
.245 ( 6.2 )
.255 ( 6.5 )
( 0.5 )
( 1.5 )
.020
.060
相關PDF資料
PDF描述
EDB106 GLASS PASSIVATED SUPER FAST SILICON SURFACE MOUNT BRIDGE RECTIFIER
EDI441024C120NB 1M X 4 FAST PAGE DRAM, 120 ns, CDSO20
EDI444096C70FC 4M X 4 FAST PAGE DRAM, 70 ns, CDFP24
EDI444096C70FB 4M X 4 FAST PAGE DRAM, 70 ns, CDFP24
EDI7F2331MV150BNI 2M X 32 FLASH 3.3V PROM MODULE, 150 ns, SMA80
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參數(shù)描述
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