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參數(shù)資料
| 型號： | EDI8L3265C |
| 英文描述： | 64Kx32 CMOS High Speed Static RAM(64Kx32高速CMOS靜態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 64Kx32的CMOS高速靜態(tài)隨機(jī)存儲器（64Kx32高速的CMOS靜態(tài)RAM）的 |
| 文件頁數(shù)： | 3/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 101K |
| 代理商： | EDI8L3265C |
EDI8L3265C
64Kx32 SRAM
3
EDI8L3265C Rev. 4 3/97 ECO #8302
AC Characteristics Read Cycle
Symbol
12ns*
15ns
20ns
25ns
Parameter
JEDEC
Alt.
Min Max
Min Max Min Max
Min Max
Units
Read Cycle Time
TAVAV
TRC
12
15
20
25
ns
Address Access Time
TAVQV
TAA
12
15
20
25
ns
Chip Enable Access Time
TELQV
TACS
12
15
20
25
ns
Byte Select Access Time
TBLQV
TBA
12
15
20
25
ns
Chip Enable to Output in Low Z (1)
TELQX
TCLZ
3
ns
Byte Select to Output in Low Z
TBLQX
TBLZ
3
ns
Chip Disable to Output in High Z (1)
TEHQZ
TCHZ
7
8
10
ns
Byte Select to Output in High Z
TBHQZ
TBHZ
7
8
10
ns
Output Hold from Address Change
TAVQX
TOH
3
ns
Output Enable to Output Valid
TGLQV
TOE
5
6
8
10
ns
Output Enable to Output in Low Z (1)
TGLQX
TOLZ
2
0
ns
Output Disable to Output in High Z(1)
TGHQZ
TOHZ
4
5
8
10
ns
Read Cycle 2 - W High
Read Cycle 1 - W High, G, E Low
TGHQZ
TELQV
TELQX
E
G
Q
TEHQZ
A
TAVAV
TGLQV
TGLQX
TAVQV
TAVAV
TAVQV
TAVQX
DATA 2
A
Q
ADDRESS 1
ADDRESS 2
DATA 1
Note 1: Parameter guaranteed, but not tested.
* Advanced Information
BSx,
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