參數(shù)資料
型號(hào)： EFM32-G230F128-SK
廠商： Energy Micro
文件頁(yè)數(shù)： 11/67頁(yè)
文件大?。?/td> 0K
描述： IC MICRO KIT GECKO 64QFN
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 1
系列： Gecko
套件類型： 微控制器
值： 2 件 - 閃存 - 128KB
包裝： 紙板盒
安裝類型： 表面貼裝
包括封裝： 64-QFN
工具箱內(nèi)容： (2) 914-1012-2-ND - IC MCU 32BIT 128KB FLASH 64QFN
其它名稱： 914-1009
EFM32-G230-SK-F128/64/32
...the world's most energy friendly microcontrollers
2013-06-28 - EFM32G230FXX - d0005_Rev1.60
19
www.energymicro.com
Table 3.6. Power Management
Symbol
Parameter
Condition
Min
Typ
Max
Unit
VBODextthr-
BOD threshold on falling
external supply voltage
1.82
1.85
V
VBODintthr-
BOD threshold on falling
internally regulated supply
voltage
1.62
1.68
V
VBODextthr+
BOD threshold on rising ex-
ternal supply voltage
1.85
V
VPORthr+
Power-on Reset (POR)
threshold on rising external
supply voltage
1.98
V
tRESETdly
Delay from reset is re-
leased until program execu-
tion starts
Applies to Power-on Reset,
Brown-out Reset and pin re-
set.
163
s
tRESET
negative pulse length to en-
sure complete reset of de-
vice
50
ns
CDECOUPLE
Voltage regulator decou-
pling capacitor.
X5R capacitor recommended.
Apply between DECOUPLE
pin and GROUND
1
F
3.7 Flash
Table 3.7. Flash
Symbol
Parameter
Condition
Min
Typ
Max
Unit
ECFLASH
Flash erase cycles before
failure
20000
cycles
TAMB<150°C
10000
h
TAMB<85°C
10
years
RETFLASH
Flash data retention
TAMB<70°C
20
years
tW_PROG
Word (32-bit) programming
time
20
s
tP_ERASE
Page erase time
20
20.4
20.8
ms
tD_ERASE
Device erase time
40
40.8
41.6
ms
IERASE
Erase current
7
1
mA
IWRITE
Write current
7
1
mA
VFLASH
Supply voltage during flash
erase and write
1.8
3.8
V
1Measured at 25°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FAM3-400-400-0.25-1A FAM3 SHEET 400X400X0.25MM W/ADH
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FAM1-400-400-0.2-1A FAM1 SHEET 400X400X0.2MM W/ADH
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FAM3-200-200-0.25-1A EMI ABSORBER TIM 0.25MM W/ADH
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參數(shù)描述
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