FIGURE 40. VOS vs " />
參數(shù)資料
型號： EL1516IYZ
廠商： Intersil
文件頁數(shù)： 4/17頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC AMP DUAL ULT LO NOISE 8-MSOP
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 50
放大器類型： 差分
電路數(shù)： 2
轉(zhuǎn)換速率： 128 V/µs
-3db帶寬： 350MHz
電流 - 輸入偏壓： 6.5µA
電壓 - 輸入偏移： 100µV
電流 - 電源： 5.8mA
電流 - 輸出 / 通道： 160mA
電壓 - 電源，單路/雙路(±)： 5 V ~ 12 V，±2.5 V ~ 6 V
工作溫度： -40°C ~ 85°C
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 8-MSOP
包裝： 管件
12
FN7328.2
May 3, 2007
FIGURE 39. 0.1% SETTLING TIME vs TEMPERATURE
FIGURE 40. VOS vs TEMPERATURE
FIGURE 41. IBIAS CURRENT vs TEMPERATURE
FIGURE 42. PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
FIGURE 43. PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
Typical Performance Curves (Continued)
-40
150
0
120
30
26
22
18
14
10
DIE TEMPERATURE (°C)
SETTLI
NG
TIME
(ns)
40
80
140
-20
20
60
100
VS = ±6V
50mVOPP
-40
150
0
120
0
-50
-150
-300
-350
-400
DIE TEMPERATURE (°C)
V
OS
(V)
40
80
140
-20
20
60
100
-100
-200
-250
-40
150
0
120
8
6
5
4
DIE TEMPERATURE (°C)
I BIAS
(A)
40
80
140
-20
20
60
100
7
607mW
θJA = 206°C/W
MSOP8/10
781mW
θJA = 160°C/W
SO8
1.2
1
0.8
0.6
0.2
0
25
50
75
100
150
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
P
O
WER
DIS
S
IPATION
(W)
125
85
JEDEC JESD51-3 LOW EFFECTIVE THERMAL
CONDUCTIVITY TEST BOARD
0.4
1.087W
θJA = 115°C/W
MSOP8/10
1.136W
θ
JA = 110°C/W
SO8
1.8
1.6
1.4
0.8
0.6
0.2
0
P
O
WER
DI
SSI
PATIO
N
(W
)
JEDEC JESD51-7 HIGH EFFECTIVE THERMAL
CONDUCTIVITY TEST BOARD
0.4
1
1.2
0
25
50
75
100
150
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
125
85
EL1516, EL1516A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TA45-ABTWFJ15C0 CIRCUIT BRKR ROCKR 1.5A 2POLE QC
RT0603DRD075K11L RES 5.11K OHM 1/10W .5% 0603 SMD
TA45-ABTWK100C0 CIRCUIT BRKR ROCKER 10A 2POLE QC
TA45-ABTWKJ20C0 CIRCUIT BRKR ROCKER 2A 2POLE QC
RT0603DRD0748K7L RES 48.7K OHM 1/10W .5% 0603 SMD
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參數(shù)描述
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