VN Voltage Noise Spectral Density 1.3 nV/ √Hz I
參數(shù)資料
型號(hào)： EL2126CSZ
廠商： Intersil
文件頁(yè)數(shù)： 14/19頁(yè)
文件大小： 0K
描述： IC AMP WIDEBAND LN LP 8-SOIC
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 97
放大器類(lèi)型： 電壓反饋
電路數(shù)： 1
轉(zhuǎn)換速率： 150 V/µs
-3db帶寬： 135MHz
電流 - 輸入偏壓： 7µA
電壓 - 輸入偏移： 500µV
電流 - 電源： 5mA
電流 - 輸出 / 通道： 220mA
電壓 - 電源，單路/雙路(±)： 5 V ~ 30 V，±2.5 V ~ 15 V
工作溫度： -40°C ~ 85°C
安裝類(lèi)型： 表面貼裝
封裝/外殼： 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 8-SOIC
包裝： 管件
產(chǎn)品目錄頁(yè)面： 1233 (CN2011-ZH PDF)
4
FN7046.4
May 2, 2007
VN
Voltage Noise Spectral Density
1.3
nV/
√Hz
IN
Current Noise Spectral Density
1.2
pA/
√Hz
HD2
2nd Harmonic Distortion (Note 3)
-70
dBc
HD3
3rd Harmonic Distortion (Note 3)
-70
dBc
NOTES:
1. Measured by moving the supplies from ±4V to ±6V
2. Pulse test only and using a 10
Ω load
3. Frequency = 1MHz, VOUT = 2VP-P, into 500Ω and 5pF load
Electrical Specifications
VS+ = +5V, VS- = -5V, TA = +25°C, RF = 180Ω, RG = 20Ω, RL = 500Ω Unless Otherwise Specified.
Parameter
Description
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Electrical Specifications
VS+ = +15V, VS- = -15V, TA = 25°C, RF = 180Ω, RG = 20Ω, RL = 500Ω unless otherwise specified.
Parameter
Description
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
DC PERFORMANCE
VOS
Input Offset Voltage (SO8)
0.5
3
mV
Input Offset Voltage (SOT23-5)
3mV
TCVOS
Offset Voltage Temperature
Coefficient
4.5
V/°C
IB
Input Bias Current
-10
-7
A
IOS
Input Bias Current Offset
0.12
0.7
A
TCIB
Input Bias Current Temperature
Coefficient
0.016
A/°C
CIN
Input Capacitance
2.2
pF
AVOL
Open Loop Gain
80
90
dB
PSRR
Power Supply Rejection Ratio
(Note 4)
65
80
dB
CMRR
Common Mode Rejection Ratio
at CMIR
70
85
dB
CMIR
Common Mode Input Range
-14.6
13.8
V
VOUTH
Positive Output Voltage Swing
No load, RF = 1kΩ
13.6
13.7
V
VOUTL
Negative Output Voltage Swing
No load, RF = 1kΩ
-13.8
-13.7
V
VOUTH2
Positive Output Voltage Swing
RL = 100Ω, RF = 1kΩ
10.2
11.2
V
VOUTL2
Negative Output Voltage Swing
RL = 100Ω, RF = 1kΩ
-10.3
-9.5
V
IOUT
Output Short Circuit Current
(Note 5)
140
220
mA
ISY
Supply Current
56
mA
AC PERFORMANCE - RG = 20Ω, CL = 3pF
BW
-3dB Bandwidth, RL = 500Ω
135
MHz
BW ±0.1dB
±0.1dB Bandwidth, RL = 500Ω
26
MHz
BW ±1dB
±1dB Bandwidth, RL = 500Ω
60
MHz
Peaking
Peaking, RL = 500Ω
2.1
dB
SR
Slew Rate (±2.5V Square Wave,
Measured 25%-75%)
130
150
V/S
OS
Overshoot, 4VP-P Output Square
Wave
Positive
1.6
%
Negative
-4.4
%
TS
Settling Time to 0.1% of ±1V Pulse
48
ns
EL2126
相關(guān)PDF資料
PDF描述
OP4177ARZ-REEL IC OPAMP GP 1.3MHZ QUAD 14SOIC
FTS-148-01-L-DV CONN HEADER 96POS DUAL .05" SMD
77313-102-24LF CONN HEADER .100 DUAL STR 24POS
170M3508 FUSE 40A 690V 1GN/50
TMM-134-01-S-D CONN HEADER 68POS DUAL 2MM T/H
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
EL2126CSZ-T13 功能描述:高速運(yùn)算放大器 EL2126CSZ LW NOISE CVR A=10 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量:1 電壓增益 dB:116 dB 輸入補(bǔ)償電壓:0.5 mV 轉(zhuǎn)換速度:55 V/us 工作電源電壓:36 V 電源電流:7.5 mA 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
EL2126CSZ-T7 功能描述:高速運(yùn)算放大器 EL2126CSZ LW NOISE CVR A=10 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量:1 電壓增益 dB:116 dB 輸入補(bǔ)償電壓:0.5 mV 轉(zhuǎn)換速度:55 V/us 工作電源電壓:36 V 電源電流:7.5 mA 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
EL2126CW 制造商:ELANTEC 制造商全稱(chēng):ELANTEC 功能描述:Ultra-low Noise, Low Power, Wideband Amplifier
EL2126CW-T13 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:Amplifier. Other
EL2126CW-T7 功能描述:IC AMP ULT LO NOISE/PWR SOT23-5 RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> Linear - Amplifiers - Instrumentation 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 放大器類(lèi)型:通用 電路數(shù):4 輸出類(lèi)型:滿(mǎn)擺幅 轉(zhuǎn)換速率:0.6 V/µs 增益帶寬積:1MHz -3db帶寬:- 電流 - 輸入偏壓:2pA 電壓 - 輸入偏移:1000µV 電流 - 電源:85µA 電流 - 輸出 / 通道:20mA 電壓 - 電源，單路/雙路(±):1.8 V ~ 6 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:14-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:14-SOICN 包裝:剪切帶 (CT) 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:680 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱(chēng):MCP6L04T-E/SLCT
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