FIGURE 13. PSRR (VEE) FIGURE 14. PACKAGE POWER DISSI" />
參數(shù)資料
型號(hào): EL5262IYZ
廠商: Intersil
文件頁數(shù): 15/15頁
文件大?。?/td> 0K
描述: IC OP AMP LOW PWR 500MHZ 10-MSOP
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 50
放大器類型: 電流反饋
電路數(shù): 2
轉(zhuǎn)換速率: 2500 V/µs
-3db帶寬: 500MHz
電流 - 輸入偏壓: 2µA
電壓 - 輸入偏移: 1500µV
電流 - 電源: 1.5mA
電流 - 輸出 / 通道: 100mA
電壓 - 電源,單路/雙路(±): 5 V ~ 12 V,±2.5 V ~ 6 V
工作溫度: -40°C ~ 85°C
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 10-TFSOP,10-MSOP(0.118",3.00mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 10-MSOP
包裝: 管件
產(chǎn)品目錄頁面: 1233 (CN2011-ZH PDF)
9
FN7388.10
January 4, 2008
FIGURE 13. PSRR (VEE)
FIGURE 14. PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
FIGURE 15. PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
FIGURE 16. PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
FIGURE 17. PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
FIGURE 18. PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
Typical Performance Curves (Continued)
1001k10k
FREQUENCY (Hz)
100k
1M
10M
100M
-30
-20
P
S
RR
(
d
B)
-50
-60
-70
-80
-40
-10
-90
0
VCC = +5V
VEE = -5V
AV = +2
RL = 150Ω
-100
1.250W
909mW
SO8
θJA = +110°C/W
SO16 (0.150”)
θJA = +80°C/W
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.2
0
255075
100
150
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
P
O
WER
DIS
S
IPATION
(W
)
125
85
JEDEC JESD51-7 HIGH EFFECTIVE THERMAL
CONDUCTIVITY TEST BOARD
0.4
893mW
QSOP16
θJA = +112°C/W
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.2
0
255075
100
150
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
POWE
R
DI
SSI
PATI
ON
(W)
125
85
JEDEC JESD51-7 HIGH EFFECTIVE THERMAL
CONDUCTIVITY TEST BOARD
0.4
JEDEC JESD51-7 HIGH EFFECTIVE THERMAL
CONDUCTIVITY TEST BOARD
0.50
0.45
0.30
0.20
0.15
0.10
0.05
0
255075
100
150
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
POWE
R
DI
SSI
PATI
ON
(W)
85
435mW
θJA = +230°C/W
SOT23-5/6
0.40
0.25
0.35
125
JEDEC JESD51-7 HIGH EFFECTIVE THERMAL
CONDUCTIVITY TEST BOARD
1.0
0.9
0.6
0.4
0.3
0.2
0.1
0
255075
100
125
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
POWER
DISS
IP
AT
ION
(W)
85
870mW
θJA = +115°C/W
MSOP8/10
0.8
0.5
0.7
625mW
SO8
θJA = +160°C/W
SO16 (0.15 0”)
θJA = +110°C/W
1.0
0.9
0.8
0.6
0.4
0.1
0
255075
100
150
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
POWER
DISS
IP
AT
ION
(W)
125
85
JEDEC JESD51-3 LOW EFFECTIVE THERMAL
CONDUCTIVITY TEST BOARD
0.2
0.7
0.3
0.5
909mW
EL5162, EL5163, EL5262, EL5263, EL5362
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PBC12DAGN CONN HEADER .100 DUAL STR 24POS
ISL28417FBZ-T7A IC OPAMP PREC 1.5MHZ LP 14SOIC
ISL28417FVZ-T7A IC OPAMP 1.5MHZ QUAD LP 14TSSOP
929836-09-30 CONN HEADER .100 DUAL STR 60POS
5-104317-7 22 MODII HDR DRST SHRD .100CL
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
EL5262IYZ-T13 功能描述:高速運(yùn)算放大器 EL5262IYZ DL 420MHZ CFAW ENABLE RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量:1 電壓增益 dB:116 dB 輸入補(bǔ)償電壓:0.5 mV 轉(zhuǎn)換速度:55 V/us 工作電源電壓:36 V 電源電流:7.5 mA 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
EL5262IYZ-T7 功能描述:高速運(yùn)算放大器 EL5262IYZ DL 420MHZ CFAW ENABLE RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量:1 電壓增益 dB:116 dB 輸入補(bǔ)償電壓:0.5 mV 轉(zhuǎn)換速度:55 V/us 工作電源電壓:36 V 電源電流:7.5 mA 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
EL5263 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:300MHz Current Feedback Amplifiers with Enable
EL5263IS 功能描述:IC AMPLIFIER 200MHZ LP 8-SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> Linear - Amplifiers - Instrumentation 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 系列:- 放大器類型:通用 電路數(shù):2 輸出類型:滿擺幅 轉(zhuǎn)換速率:1.8 V/µs 增益帶寬積:6.5MHz -3db帶寬:4.5MHz 電流 - 輸入偏壓:5nA 電壓 - 輸入偏移:100µV 電流 - 電源:65µA 電流 - 輸出 / 通道:35mA 電壓 - 電源,單路/雙路(±):1.8 V ~ 5.25 V,±0.9 V ~ 2.625 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:10-TFSOP,10-MSOP(0.118",3.00mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:10-MSOP 包裝:管件
EL5263IS-T13 功能描述:IC AMP CFA DUAL 500MHZ 8-SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> Linear - Amplifiers - Instrumentation 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 系列:- 放大器類型:通用 電路數(shù):2 輸出類型:滿擺幅 轉(zhuǎn)換速率:1.8 V/µs 增益帶寬積:6.5MHz -3db帶寬:4.5MHz 電流 - 輸入偏壓:5nA 電壓 - 輸入偏移:100µV 電流 - 電源:65µA 電流 - 輸出 / 通道:35mA 電壓 - 電源,單路/雙路(±):1.8 V ~ 5.25 V,±0.9 V ~ 2.625 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:10-TFSOP,10-MSOP(0.118",3.00mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:10-MSOP 包裝:管件