參數(shù)資料
型號： EL5263ISZ
廠商： Intersil
文件頁數(shù)： 2/15頁
文件大小： 0K
描述： IC OP AMP LOW PWR 500MHZ 8-SOIC
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 97
放大器類型： 電流反饋
電路數(shù)： 2
轉(zhuǎn)換速率： 2500 V/µs
-3db帶寬： 500MHz
電流 - 輸入偏壓： 2µA
電壓 - 輸入偏移： 1500µV
電流 - 電源： 1.5mA
電流 - 輸出 / 通道： 100mA
電壓 - 電源，單路/雙路(±)： 5 V ~ 12 V，±2.5 V ~ 6 V
工作溫度： -40°C ~ 85°C
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 8-SOIC
包裝： 管件
產(chǎn)品目錄頁面： 1233 (CN2011-ZH PDF)
10
FN7388.10
January 4, 2008
FIGURE 19. PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
FIGURE 20. PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
FIGURE 21. PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT TEMPERATURE
Typical Performance Curves (Continued)
633mW
QSOP16
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0
255075
100
150
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
P
O
WER
DIS
S
IPATION
(W)
125
85
JEDEC JESD51-3 LOW EFFECTIVE THERMAL
CONDUCTIVITY TEST BOARD
0.2
θ
JA = +158°C/W
JEDEC JESD51-3 LOW EFFECTIVE THERMAL
CONDUCTIVITY TEST BOARD
0.45
0.40
0.25
0.15
0.10
0.05
0
255075
100
150
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
P
O
WER
DIS
S
IPATION
(W)
85
391mW
θJA = +256°C/W
SOT23-5/6
0.35
0.20
0.30
125
JEDEC JESD51-3 LOW EFFECTIVE THERMAL
CONDUCTIVITY TEST BOARD
0.6
0.4
0.3
0.2
0.1
0
255075
100
125
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
POWER
DISS
IPATION
(W)
85
0.5
MSOP8/10
θJA = +206°C/W
486mW
EL5162, EL5163, EL5262, EL5263, EL5362
相關(guān)PDF資料
PDF描述
9-146309-0-09 CONN HEADR BRKWAY .100 18POS R/A
TMM-125-01-T-D CONN HEADER 50POS DUAL 2MM T/H
TMM-106-01-G-D-SM CONN HEADER 12POS DUAL 2MM SMD
TLW-117-06-T-D CONN HEADER .100" 34POS DUAL TIN
TLW-117-05-T-D CONN HEADER .100" 34POS DUAL TIN
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參數(shù)描述
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