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參數(shù)資料
| 型號： | EL5323CRZ |
| 廠商： | Intersil |
| 文件頁數(shù)： | 3/17頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC BUFFER I/O 10CH 12MHZ 24TSSOP |
| 標準包裝： | 62 |
| 放大器類型： | 緩沖器 |
| 電路數(shù)： | 10 |
| 輸出類型： | 滿擺幅 |
| 轉換速率： | 18 V/µs |
| -3db帶寬： | 12MHz |
| 電流 - 輸入偏壓： | 2nA |
| 電壓 - 輸入偏移： | 500µV |
| 電流 - 電源： | 6.2mA |
| 電流 - 輸出 / 通道： | 200mA |
| 電壓 - 電源，單路/雙路(±)： | 4.5 V ~ 16.5 V，±2.25 V ~ 8.25 V |
| 工作溫度： | -40°C ~ 85°C |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 24-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） |
| 供應商設備封裝： | 24-TSSOP |
| 包裝： | 管件 |
| 產(chǎn)品目錄頁面： | 1233 (CN2011-ZH PDF) |
11
FN7176.3
August 31, 2010
FIGURE 19. LARGE SIGNAL TRANSIENT RESPONSE
FIGURE 20. PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
FIGURE 21. PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
FIGURE 22. PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
FIGURE 23. PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT TEMPERATURE
Typical Performance Curves (Continued)
1s/DIV
1V/DIV
JEDEC JESD51-7 HIGH EFFECTIVE THERMAL
CONDUCTIVITY TEST BOARD, QFN EXPOSED
DIEPAD SOLDERED TO PCB PER JESD51-5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
25
50
75
100
125
150
85
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
POWER
DIS
S
IP
ATION
(W)
2.857W
2.703W
θJA = +37°C/W
QFN24
θJA = +35°C/W
QFN32
JEDEC JESD51-3 AND SEMI G42-88
(SINGLE LAYER) TEST BOARD
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
714mW
θJA = +140°C/W
QFN24
θJA = +132°C/W
QFN32
0
25
50
75
100
125
150
85
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
POWER
DISS
IPATION
(W)
758mW
JEDEC JESD51-7 HIGH EFFECTIVE THERMAL
CONDUCTIVITY TEST BOARD
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
POWER
DISS
IPATION
(W)
0
25
50
75
100
125
150
85
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
1.111W
1.333W
870mW
θJA = +95°C/W
TSSOP20
θJA = +115°C/W
MSOP10
θJA = +85°C/W
TSSOP24
θJA = +75°C/W
TSSOP28
1.176W
JEDEC JESD51-3 LOW EFFECTIVE THERMAL
CONDUCTIVITY TEST BOARD
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
25
50
75
100
125
150
85
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
P
O
WER
DIS
S
IPATION
(W)
486mW
θJA = +206°C/W
MSOP10
714mW
θJA = +140°C/W
TSSOP20
θJA = +120°C/W
TSSOP28
θJA = +128°C/W
TSSOP24
833mW
781mW
EL5123, EL5223, EL5323, EL5423
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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