FIGURE 13. PSRR (VEE) FIGURE 14. PACKAGE POWER DISSI" />
參數(shù)資料
型號: EL5362ISZ-T7
廠商: Intersil
文件頁數(shù): 15/15頁
文件大?。?/td> 0K
描述: IC AMP CFA 500MHZ TRPL 16-SOIC
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
放大器類型: 電流反饋
電路數(shù): 3
轉(zhuǎn)換速率: 2500 V/µs
-3db帶寬: 500MHz
電流 - 輸入偏壓: 2µA
電壓 - 輸入偏移: 1500µV
電流 - 電源: 1.5mA
電流 - 輸出 / 通道: 100mA
電壓 - 電源,單路/雙路(±): 5 V ~ 12 V,±2.5 V ~ 6 V
工作溫度: -40°C ~ 85°C
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 16-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 16-SOIC
包裝: 標(biāo)準(zhǔn)包裝
產(chǎn)品目錄頁面: 1233 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱: EL5362ISZ-T7DKR
9
FN7388.10
January 4, 2008
FIGURE 13. PSRR (VEE)
FIGURE 14. PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
FIGURE 15. PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
FIGURE 16. PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
FIGURE 17. PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
FIGURE 18. PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
Typical Performance Curves (Continued)
1001k10k
FREQUENCY (Hz)
100k
1M
10M
100M
-30
-20
P
S
RR
(
d
B)
-50
-60
-70
-80
-40
-10
-90
0
VCC = +5V
VEE = -5V
AV = +2
RL = 150Ω
-100
1.250W
909mW
SO8
θJA = +110°C/W
SO16 (0.150”)
θJA = +80°C/W
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.2
0
255075
100
150
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
P
O
WER
DIS
S
IPATION
(W
)
125
85
JEDEC JESD51-7 HIGH EFFECTIVE THERMAL
CONDUCTIVITY TEST BOARD
0.4
893mW
QSOP16
θJA = +112°C/W
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.2
0
255075
100
150
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
POWE
R
DI
SSI
PATI
ON
(W)
125
85
JEDEC JESD51-7 HIGH EFFECTIVE THERMAL
CONDUCTIVITY TEST BOARD
0.4
JEDEC JESD51-7 HIGH EFFECTIVE THERMAL
CONDUCTIVITY TEST BOARD
0.50
0.45
0.30
0.20
0.15
0.10
0.05
0
255075
100
150
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
POWE
R
DI
SSI
PATI
ON
(W)
85
435mW
θJA = +230°C/W
SOT23-5/6
0.40
0.25
0.35
125
JEDEC JESD51-7 HIGH EFFECTIVE THERMAL
CONDUCTIVITY TEST BOARD
1.0
0.9
0.6
0.4
0.3
0.2
0.1
0
255075
100
125
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
POWER
DISS
IP
AT
ION
(W)
85
870mW
θJA = +115°C/W
MSOP8/10
0.8
0.5
0.7
625mW
SO8
θJA = +160°C/W
SO16 (0.15 0”)
θJA = +110°C/W
1.0
0.9
0.8
0.6
0.4
0.1
0
255075
100
150
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
POWER
DISS
IP
AT
ION
(W)
125
85
JEDEC JESD51-3 LOW EFFECTIVE THERMAL
CONDUCTIVITY TEST BOARD
0.2
0.7
0.3
0.5
909mW
EL5162, EL5163, EL5262, EL5263, EL5362
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PDF描述
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參數(shù)描述
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EL5362IU-T13 功能描述:IC AMP CFA TRIPLE 500MHZ 16-QSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> Linear - Amplifiers - Instrumentation 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 系列:LinCMOS™ 放大器類型:通用 電路數(shù):4 輸出類型:- 轉(zhuǎn)換速率:0.05 V/µs 增益帶寬積:110kHz -3db帶寬:- 電流 - 輸入偏壓:0.7pA 電壓 - 輸入偏移:210µV 電流 - 電源:57µA 電流 - 輸出 / 通道:30mA 電壓 - 電源,單路/雙路(±):3 V ~ 16 V,±1.5 V ~ 8 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:14-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:14-SOIC 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:865 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:296-1834296-1834-5
EL5362IU-T7 功能描述:IC AMP 500MHZ CURR FB 16-QSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> Linear - Amplifiers - Instrumentation 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 放大器類型:電壓反饋 電路數(shù):4 輸出類型:滿擺幅 轉(zhuǎn)換速率:33 V/µs 增益帶寬積:20MHz -3db帶寬:30MHz 電流 - 輸入偏壓:2nA 電壓 - 輸入偏移:3000µV 電流 - 電源:2.5mA 電流 - 輸出 / 通道:30mA 電壓 - 電源,單路/雙路(±):4.5 V ~ 16.5 V,±2.25 V ~ 8.25 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:14-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:14-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
EL5362IUZ 功能描述:高速運(yùn)算放大器 EL5362IUZ TRPL 420 MHZ CFAW ENABLE RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量:1 電壓增益 dB:116 dB 輸入補(bǔ)償電壓:0.5 mV 轉(zhuǎn)換速度:55 V/us 工作電源電壓:36 V 電源電流:7.5 mA 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
EL5362IUZ-T13 功能描述:高速運(yùn)算放大器 EL5362IUZ TRPL 420 MHZ CFAW ENABLE RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量:1 電壓增益 dB:116 dB 輸入補(bǔ)償電壓:0.5 mV 轉(zhuǎn)換速度:55 V/us 工作電源電壓:36 V 電源電流:7.5 mA 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube