8 FN7389.9 January 30, 2014 FIGURE 19. PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT TEMPERATURE FIGURE 20. PACKAGE POWER DISSIPA" />
參數(shù)資料
型號： EL5364IUZ-T7
廠商： Intersil
文件頁數(shù)： 16/17頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC AMP 600MHZ CURR FB 16-QSOP
標準包裝： 1
放大器類型： 電流反饋
電路數(shù)： 3
轉(zhuǎn)換速率： 4200 V/µs
-3db帶寬： 600MHz
電流 - 輸入偏壓： 2µA
電壓 - 輸入偏移： 1500µV
電流 - 電源： 3.5mA
電流 - 輸出 / 通道： 140mA
電壓 - 電源，單路/雙路(±)： 5 V ~ 12 V，±2.5 V ~ 6 V
工作溫度： -40°C ~ 85°C
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 16-SSOP（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 16-QSOP
包裝： 剪切帶 (CT)
其它名稱： EL5364IUZ-T7CT
EL5164, EL5165, EL5364
8
FN7389.9
January 30, 2014
FIGURE 19. PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
FIGURE 20. PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
FIGURE 21. PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
FIGURE 22. PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
Typical Performance Curves (Continued)
909mW
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.2
0
25
50
75
100
150
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
POWER
DISS
IPATION
(W)
125
85
JEDEC JESD51-7 HIGH EFFECTIVE THERMAL
CONDUCTIVITY TEST BOARD
0.4
435mW
θJA = +230°C/W
SOT23-5/6
1.250W
θJA = +80°C/W
SO16 (0.150”)
θJA = +110°C/W
SO8
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.2
0
25
50
75
100
150
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
P
O
WER
DIS
S
IPATION
(W
)
125
85
JEDEC JESD51-7 HIGH EFFECTIVE THERMAL
CONDUCTIVITY TEST BOARD
0.4
893mW
QSOP16
θJA = +112°C/W
625mW
θJA = +160°C/W
SO8
1.0
0.9
0.8
0.6
0.4
0.1
0
25
50
75
100
150
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
POWER
DISS
IP
AT
ION
(W)
125
85
JEDEC JESD51-3 LOW EFFECTIVE THERMAL
CONDUCTIVITY TEST BOARD
0.2
0.7
0.3
0.5
391mW
θJA = +256°C/W
SOT23-5/6
633mW
θ
JA =
+15
8°C
/W
QS
OP
16
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0
255075
100
150
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
PO
WER
D
ISS
IP
A
T
IO
N
(W)
125
85
JEDEC JESD51-3 LOW EFFECTIVE THERMAL
CONDUCTIVITY TEST BOARD
0.2
θ
JA
=
+1
10
°C
/W
SO
16
(0
.15
0”
)
909mW
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