參數(shù)資料
型號(hào)： EL5427
廠商： Intersil Corporation
英文描述： 2.5MHz 4-, 8-, 10- and 12-Channel Rail-to-Rail Buffers(2.5MHz 4/8/10/12通道軌對(duì)軌緩沖器)
中文描述： 2.5MHz的4 - ，8 - ，10 -和12通道軌至軌緩沖器（2.5MHz的4/8/10/12通道軌對(duì)軌緩沖器）
文件頁(yè)數(shù)： 11/17頁(yè)
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代理商： EL5427
11
FN7111.4
May 4, 2007
Applications Information
Product Description
The EL5127, EL5227, EL5327, and EL5427 unity gain
buffers are fabricated using a high voltage CMOS process. It
exhibits rail-to-rail input and output capability and has low
power consumption (120μA per buffer). These features
make the EL5127, EL5227, EL5327, and EL5427 ideal for a
wide range of general-purpose applications. When driving a
load of 10k
Ω
and 12pF, the EL5127, EL5227, EL5327, and
EL5427 have a -3dB bandwidth of 2.5MHz and exhibits
2.2V/μs slew rate.
Operating Voltage, Input, and Output
The EL5127, EL5227, EL5327, and EL5427 are specified
with a single nominal supply voltage from 5V to 15V or a split
supply with its total range from 5V to 15V. Correct operation
is guaranteed for a supply range of 4.5V to 16.5V. Most
EL5127, EL5227, EL5327, and EL5427 specifications are
stable over both the full supply range and operating
temperatures of -40°C to +85°C. Parameter variations with
operating voltage and/or temperature are shown in the
typical performance curves.
The output swings of the EL5127, EL5227, EL5327, and
EL5427 typically extend to within 80mV of positive and
negative supply rails with load currents of 5mA. Decreasing
load currents will extend the output voltage range even
closer to the supply rails. Figure 22 shows the input and
output waveforms for the device. Operation is from ±5V
supply with a 10k
Ω
load connected to GND. The input is a
10V
P-P
sinusoid. The output voltage is approximately
9.985V
P-P
.
FIGURE 19. PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
FIGURE 20. PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
FIGURE 21. PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT TEMPERATURE
Typical Performance Curves
JEDEC JESD51-7 HIGH EFFECTIVE THERMAL
CONDUCTIVITY TEST BOARD
1.4
0
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
P
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
25
50
75
100
125
85
1.111W
1.333W
1.176W
TSSOP28
θ
JA
=75°C/W
TSSOP24
θ
JA
=85°C/W
TSSOP20
θ
JA
=90°C/W
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
25
50
75
125
150
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
P
100
85
714mW
758mW
JEDEC JESD51-3 LOW EFFECTIVE THERMAL
CONDUCTIVITY TEST BOARD
QFN32
θ
JA
=132°C/W
486mW
MSOP10
θ
JA
=206°C/W
QFN24
θ
JA
=140°C/W
JEDEC JESD51-3 LOW EFFECTIVE THERMAL
CONDUCTIVITY TEST BOARD
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
25
50
75
100
125
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
P
85
714mW
833mW
781mW
TSSOP28
θ
JA
=120°C/W
TSSOP24
θ
JA
=128°C/W
TSSOP20
θ
JA
=140°C/W
EL5127, EL5227, EL5327, EL5427
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PDF描述
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參數(shù)描述
EL5427CL 功能描述:IC BUFFER LP 12CH 2.5MHZ 32-QFN RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> Linear - Amplifiers - Instrumentation 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 系列:LinCMOS™ 放大器類型:通用 電路數(shù):4 輸出類型:- 轉(zhuǎn)換速率:0.05 V/µs 增益帶寬積:110kHz -3db帶寬:- 電流 - 輸入偏壓:0.7pA 電壓 - 輸入偏移:210µV 電流 - 電源:57µA 電流 - 輸出 / 通道:30mA 電壓 - 電源，單路/雙路(±):3 V ~ 16 V，±1.5 V ~ 8 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:14-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:14-SOIC 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:865 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:296-1834296-1834-5
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EL5427CLZ 功能描述:運(yùn)算放大器 - 運(yùn)放 EL5427CLZ 2 5MHZ 12 CH BUFR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道數(shù)量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 輸入補(bǔ)償電壓:1 mV 輸入偏流（最大值）:10 pA 工作電源電壓:2.7 V to 5.5 V 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 轉(zhuǎn)換速度:0.89 V/us 關(guān)閉:No 輸出電流:55 mA 最大工作溫度:+ 125 C 封裝:Reel
EL5427CLZ-T13 功能描述:運(yùn)算放大器 - 運(yùn)放 EL5427CLZ 2 5MHZ 12 CH BUFR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道數(shù)量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 輸入補(bǔ)償電壓:1 mV 輸入偏流（最大值）:10 pA 工作電源電壓:2.7 V to 5.5 V 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 轉(zhuǎn)換速度:0.89 V/us 關(guān)閉:No 輸出電流:55 mA 最大工作溫度:+ 125 C 封裝:Reel
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