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參數(shù)資料
| 型號： | EL8170IS |
| 廠商： | INTERSIL CORP |
| 元件分類： | 測量放大器 |
| 英文描述： | microPower, Single-Supply, CMOS Instrumentation Amplifier |
| 中文描述： | INSTRUMENTATION AMPLIFIER, 250 uV OFFSET-MAX, 192 MHz BAND WIDTH, PDSO8 |
| 封裝： | PLASTIC, MS-012, SOP-8 |
| 文件頁數(shù)： | 3/14頁 |
| 文件大?。?/td> | 707K |
| 代理商： | EL8170IS |
11
FN7490.1
March 9, 2006
Description of Operation and Applications
Information
Product Description
The EL8170 and EL8173 are micropower instrumentation
amplifiers (in-amps) which deliver rail-to-rail input
amplification and rail-to-rail output swing on a single 2.9V to
5V supply. The EL8170 and EL8173 also deliver excellent
DC and AC specifications while consuming only 60A typical
supply current. Because the EL8170 and EL8173 provide an
independent pair of feedback terminals to set the gain and to
adjust output level, these in-amps achieve high common-
mode rejection ratio regardless of the tolerance of the gain
setting resistors. The EL8173 is internally compensated for a
minimum closed loop gain of 10 or greater, well suited for
moderate to high gains. For higher gains, the EL8170 is
internally compensated for a minimum gain of 100. An
ENABLE pin is used to reduce power consumption, typically
2.9A, while the instrumentation amplifier is disabled.
Input Protection
All input and feedback terminals of the EL8170 and EL8173
have internal ESD protection diodes to both positive and
negative supply rails, limiting the input voltage to within one
diode drop beyond the supply rails. The EL8170 has
additional back-to-back diodes across the input terminals
and also across the feedback terminals. If overdriving the
inputs is necessary, the external input current must never
exceed 5mA. On the other hand, the EL8173 has no clamps
to limit the differential voltage on the input terminals allowing
FIGURE 38. EL8170 AND EL8173 SUPPLY CURRENT vs SUPPLY VOLTAGE
FIGURE 39. PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
FIGURE 40. PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
Typical Performance Curves (Continued)
23.5
2.5
4.5
70
60
50
40
20
0
SUPPLY VOLTAGE (V)
SUP
P
LY
CURRENT
(A)
5.5
30
10
4
35
909mW
θ
JA =
110
°C
/W
SO
8
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.2
0
POW
E
R
DI
SSI
PATI
ON
(W)
JEDEC JESD51-7 HIGH EFFECTIVE THERMAL
CONDUCTIVITY TEST BOARD
0.4
0
25
50
75
100
150
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
125
85
625mW
θ
JA =1
60°
C/W
SO
8
1
0.9
0.8
0.6
0.4
0.1
0
25
50
75
100
150
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
POWE
R
DI
SSI
PATI
ON
(W)
125
85
JEDEC JESD51-3 LOW EFFECTIVE THERMAL
CONDUCTIVITY TEST BOARD
0.2
0.7
0.3
0.5
EL8170, EL8173
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PDF描述 |
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