參數(shù)資料
型號： EMZ1DXV6T1
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Dual General Purpose Transistors
中文描述： 100 mA, 60 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： LEAD FREE, CASE 463A-01, 6 PIN
文件頁數(shù)： 5/6頁
文件大?。?/td> 63K
代理商： EMZ1DXV6T1
EMZ1DXV6T1, EMZ1DXV6T5
http://onsemi.com
5
PACKAGE DIMENSIONS
SOT563, 6 LEAD
CASE 463A01
ISSUE A
G
M
0.08 (0.003)
X
D
6 PL
C
J
X
Y
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER
ANSI Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETERS
3. MAXIMUM LEAD THICKNESS INCLUDES
LEAD FINISH THICKNESS. MINIMUM LEAD
THICKNESS IS THE MINIMUM THICKNESS
OF BASE MATERIAL.
DIM
A
B
C
D
G
J
K
S
MIN
1.50
1.10
0.50
0.17
0.50 BSC
0.08
0.10
1.50
MAX
1.70
1.30
0.60
0.27
MIN
0.059
0.043
0.020
0.007
0.020 BSC
0.003
0.004
0.059
MAX
0.067
0.051
0.024
0.011
INCHES
MILLIMETERS
0.18
0.30
1.70
0.007
0.012
0.067
A
B
Y
1
2
3
4
5
S
K
6
STYLE 1:
PIN 1. EMITTER 1
2. BASE 1
3. COLLECTOR 2
4. EMITTER 2
5. BASE 2
6. COLLECTOR 1
SOLDER FOOTPRINT*
*For information on soldering specifications, please refer to
our Soldering Reference Manual, SOLDERRM/D.
1.35
0.0531
0.5
0.0197
mm
inches
SCALE 20:1
0.5
0.0197
1.0
0.0394
0.45
0.0177
0.3
0.0118
相關PDF資料
PDF描述
EMZ1DXV6T5 Dual General Purpose Transistors
EN241D-14A Z-TRAP ENE(Nominal varistor voltage 200 to 470V
EN271D-14A Pin header, Discrete wire crimping connection, Discrete wire connectors; HRS No: 686-0023-1 00; No. of Positions: 40; Connector Type: Wire; Contact Gender: Female; Contact Spacing (mm): 1; Terminal Pitch (mm): 1; Current Rating(Amps)(Max.): 1; Operating Temperature Range (degrees C): -35 to 85; General Description: Housing; Double row; Crimping
EN271D-20A Pin header, Discrete wire crimping connection, Discrete wire connectors; HRS No: 686-0042-6 00; Connector Type: Wire; Contact Gender: Female; Termination Style: Crimping; Current Rating(Amps)(Max.): 1; Contact Mating Area Plating: Gold; Operating Temperature Range (degrees C): -35 to 85; General Description: Female contact
EN221D-14A Z-TRAP ENE(Nominal varistor voltage 200 to 470V
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參數(shù)描述
EMZ1DXV6T1_06 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Dual General Purpose Transistors
EMZ1DXV6T1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 50V Dual Complementary RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
EMZ1DXV6T5 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 50V Dual RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
EMZ1DXV6T5G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 50V Dual Complementary RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
EMZ1T2R 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN/PNP 50V 150MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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