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參數(shù)資料
| 型號： | EN29LV640H-90TIP |
| 廠商： | Eon Silicon Solution Inc. |
| 英文描述： | 64 Megabit (4M x 16-bit ) CMOS 3.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory |
| 中文描述： | 64兆位（4米× 16位），3.0伏的CMOS只，統(tǒng)一部門快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 32/45頁 |
| 文件大?。?/td> | 440K |
| 代理商： | EN29LV640H-90TIP |
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DC Characteristics
Table 11.
DC Characteristics
This Data Sheet may be revised by subsequent versions 2005 Eon Silicon Solution, Inc., www.essi.com.tw
or modifications due to changes in technical specifications.
Rev. C, Issue Date: 2007/01/23
EN29LV640
Notes:
1. Maximum
I
B
CC
B
specifications are tested with
V
CC
=
V
CC
max.
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
I
B
LI
I
B
LIT
I
B
LO
B
Input Leakage Current
0V
≤
V
B
IN
A9 = 11.5V
B
≤
V
CC
±5
μA
B
A9, WP#/ACC Input Load Current
35
μA
B
Output Leakage Current
0V
≤
V
B
OUT
B
≤
V
CC
±5
μA
I
B
CC1
B
Supply Current (read)
CE# = V
B
IL
V
B
IH ;
CE# = V
B
IL
V
B
IH
CE# = BYTE# =
RESET# = V
CC
±
0.3V
(Note 1)
B
; OE# =
B
f = 5MHZ
9
16
mA
I
B
CC2
B
Supply Current (Program or Erase)
B
, OE# =
B
, WE# = V
B
IL
B
20
30
mA
I
B
CC3
Supply Current (Standby - CMOS)
1
5.0
μA
I
B
CC4
B
Reset Current
RESET# = V
SS
± 0.3V
1
5.0
mA
I
B
CC5
B
Automatic Sleep Mode
V
B
IH
V
B
IL
WP#/ACC = V
B
IH
B
= V
CC
± 0.3V
B
= V
SS
± 0.3V,
1
5.0
uA
V
B
IL
B
Input Low Voltage
-0.5
0.7 x
V
CC
0.8
Vcc ±
0.3
V
V
B
IH
B
Input High Voltage
V
V
B
HH
B
Voltage for WP#/ACC Program
Acceleration
Voltage for Autoselect or Temporary
Sector Unprotect
Output Low Voltage
10.5
11.5
V
V
B
ID
B
10.5
11.5
V
V
B
OL
B
I
B
OL
B
= 4.0 mA
0.45
V
Output High Voltage TTL
I
B
OH
B
= -2.0 mA
0.85 x
V
CC
V
CC
-
0.4V
V
V
B
OH
B
Output High Voltage CMOS
I
B
OH
B
= -100
μ
A,
V
V
B
LKO
B
Supply voltage (Erase and Program
lock-out)
2.3
2.5
V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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