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參數(shù)資料
| 型號： | EN29LV800AB-70BCP |
| 廠商： | Eon Silicon Solution Inc. |
| 英文描述： | 8 Megabit (1024K x 8-bit / 512K x 16-bit) Flash Memory Boot Sector Flash Memory, CMOS 3.0 Volt-only |
| 中文描述： | 8兆位（1024K × 8位/為512k × 16位）閃存引導(dǎo)扇區(qū)閃存，CMOS 3.0伏，只 |
| 文件頁數(shù)： | 35/41頁 |
| 文件大?。?/td> | 370K |
| 代理商： | EN29LV800AB-70BCP |
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Figure 12. Sector Protect/Unprotect Timing Diagram
Notes:
Use standard microprocessor timings for this device for read and write cycles.
For Sector Protect, use A6=0, A1=1, A0=0. For Sector Unprotect, use A6=1, A1=1, A0=0.
Temporary Sector Unprotect
Parameter
Std
This Data Sheet may be revised by subsequent versions 2004 Eon Silicon Solution, Inc., www.essi.com.tw
or modifications due to changes in technical specifications.
Rev. C, Issue Date: 2005/01/10
EN29LV800A
V
ID
SA,
A6,A1,A0
RESET#
0V
t
VIDR
t
VIDR
>1
μ
S
0V
CE#
WE#
OE#
Vcc
60h
60h
Valid
Verify
Sector Protect/Unprotect
Sector Protect: 150 uS
Sector Unprotect: 15 mS
>0.4
μ
S
40h
Status
Valid
Valid
Data
Speed Option
-70
500
Unit
Ns
Description
-55R
-90
t
VIDR
V
ID
Rise and Fall Time
RESET# Setup Time for Temporary
Sector Unprotect
Min
t
RSP
Min
4
μ
s
Figure 13. Temporary Sector Unprotect Timing Diagram
0 or 3 V
RESET#
RY/BY#
WE#
CE#
0 or 3 V
V
ID
t
RSP
t
VIDR
t
VIDR
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EN29LV800AB-70BI | 8 Megabit (1024K x 8-bit / 512K x 16-bit) Flash Memory Boot Sector Flash Memory, CMOS 3.0 Volt-only |
| EN29LV800AB-70BIP | 8 Megabit (1024K x 8-bit / 512K x 16-bit) Flash Memory Boot Sector Flash Memory, CMOS 3.0 Volt-only |
| EN29LV800AB-70TC | 8 Megabit (1024K x 8-bit / 512K x 16-bit) Flash Memory Boot Sector Flash Memory, CMOS 3.0 Volt-only |
| EN29LV800AB-70TCP | 8 Megabit (1024K x 8-bit / 512K x 16-bit) Flash Memory Boot Sector Flash Memory, CMOS 3.0 Volt-only |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| EN2-B1H1 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:AUTOMOTIVE RELAYS (Twin, Single) Relays |
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