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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | EN29LV800T70RSP |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | 8 Megabit (1024K x 8-bit / 512K x 16-bit) Flash Memory Boot Sector Flash Memory, CMOS 3.0 Volt-only |
| 中文描述： | 8兆位（1024K × 8位/為512k × 16位）閃存引導(dǎo)扇區(qū)閃存，CMOS 3.0伏，只 |
| 文件頁數(shù)： | 24/43頁 |
| 文件大?。?/td> | 239K |
| 代理商： | EN29LV800T70RSP |
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EN29LV800
4800 Great America Parkway, Suite 202
Santa Clara, CA 95054
Tel: 408-235-8680
Fax: 408-235-8685
24
Rev 0.4 Release Date: 2002/01/29
Table 7.
DC Characteristics
(T
a
= 0°C to 70°C or - 40°C to 85°C; V
CC
= 2.7-3.6V)
Notes
1. BYTE# pin can also be GND
± 0.3V. BYTE# and RESET# pin input buffers are always enabled so that
they draw power if not at full CMOS supply voltages.
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
I
LI
I
LO
Input Leakage Current
0V
≤
V
IN
≤
Vcc
0V
≤
V
OUT
≤
Vcc
±5
μA
Output Leakage Current
±5
μA
Supply Current (read) TTL
8
16
mA
(read) CMOS Byte
6
18
mA
I
CC1
(read) CMOS Word
CE# = V
IL
; OE# = V
IH
;
f = 5MHz
7
20
mA
Supply Current (Standby - TTL)
CE# = V
IH
,
BYTE# = RESET# =
Vcc ± 0.3V
(Note 1)
CE# = BYTE# =
RESET# = Vcc ± 0.3V
(Note 1)
Byte program, Sector or
Chip Erase in progress
0.4
1.0
mA
I
CC2
Supply Current (Standby - CMOS)
1
5.0
μA
I
CC3
Supply Current (Program or Erase)
25
50
mA
I
CC4
Automatic Sleep Mode
V
IH
= Vcc ± 0.3 V
V
IL
= Vss ± 0.3 V
1
5.0
μA
V
IL
Input Low Voltage
-0.5
0.7 x
Vcc
0.85 x
Vcc
Vcc -
0.4V
10.5
0.8
Vcc ±
0.3
0.45
V
V
IH
Input High Voltage
V
V
OL
Output Low Voltage
I
OL
= 4.0 mA
V
Output High Voltage TTL
I
OH
= -2.0 mA
V
V
OH
Output High Voltage CMOS
I
OH
= -100
μ
A,
V
V
ID
I
ID
A9 Voltage (Electronic Signature)
11.5
V
A9 Current (Electronic Signature)
Supply voltage (Erase and
Program lock-out)
A9 = V
ID
100
μA
V
LKO
2.3
2.5
V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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