參數(shù)資料
型號(hào)： EP2AGX45CU17C4N
廠商： Altera
文件頁數(shù)： 74/90頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC ARRIA II GX FPGA 45K 358UFBGA
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： Three Reasons to Use FPGA's in Industrial Designs
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 6
系列： Arria II GX
LAB/CLB數(shù)： 1805
邏輯元件/單元數(shù)： 42959
RAM 位總計(jì)： 3517440
輸入/輸出數(shù)： 156
電源電壓： 0.87 V ~ 0.93 V
安裝類型： 表面貼裝
工作溫度： 0°C ~ 85°C
封裝/外殼： 358-UBGA
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 358-UBGA
其它名稱： 544-2711
1–68
Chapter 1: Device Datasheet for Arria II Devices
Switching Characteristics
December 2013
Altera Corporation
Figure 1–6 shows the LVDS soft-CDR/DPA sinusoidal jitter tolerance specification for
Arria II GZ devices at 1.25 Gbps data rate.
Table 1–56 lists the LVDS soft-CDR/DPA sinusoidal jitter tolerance specification for
Arria II GZ devices at 1.25 Gbps data rate.
External Memory Interface Specifications
f For the maximum clock rate supported for Arria II GX and GZ device family, refer to
the External Memory Interface Spec Estimator page on the Altera website.
Table 1–57 lists the external memory interface specifications for Arria II GX devices.
Figure 1–6. LVDS Soft-CDR/DPA Sinusoidal Jitter Tolerance Specification for Arria II GZ Devices at a 1.25 Gbps Data Rate
Jitter Frequency (Hz)
Sinusoidal Jitter Amplitude (UI)
25
8.5
0.35
0.1
10,000 (F1)
17,565 (F2)
1,493,000 (F3)
50,000,000 (F4)
Table 1–56. LVDS Soft-CDR/DPA Sinusoidal Jitter Mask Values for Arria II GZ Devices at
1.25 Gbps Data Rate
Jitter Frequency (Hz)
Sinusoidal Jitter (UI)
F1
10,000
25.000
F2
17,565
25.000
F3
1,493,000
0.350
F4
50,000,000
0.350
Table 1–57. External Memory Interface Specifications for Arria II GX Devices (Part 1 of 2)
Frequency
Mode
Frequency Range (MHz)
Resolution
(°)
DQS Delay
Buffer Mode
Number of
Delay Chains
C4
I3, C5, I5
C6
0
90-140
90-130
90-110
22.5
Low
16
1
110-180
110-170
110-150
30
Low
12
2
140-220
140-210
140-180
36
Low
10
3
170-270
170-260
170-220
45
Low
8
4
220-340
220-310
220-270
30
High
12
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EP2AGX45CU17C6N 功能描述:FPGA - 現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列 FPGA - Arria II GX 1805 LABs 156 IOs RoHS:否 制造商:Altera Corporation 系列:Cyclone V E 柵極數(shù)量: 邏輯塊數(shù)量:943 內(nèi)嵌式塊RAM - EBR:1956 kbit 輸入/輸出端數(shù)量:128 最大工作頻率:800 MHz 工作電源電壓:1.1 V 最大工作溫度:+ 70 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:FBGA-256
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