Copyright Cirrus Logic, Inc. 2011 (All Rights Reserved) 17 EP7309 High-Performance, Low-Power S" />
參數(shù)資料
型號(hào)： EP7309-CVZ
廠商： Cirrus Logic Inc
文件頁(yè)數(shù)： 9/42頁(yè)
文件大小： 0K
描述： IC ARM720T MCU 74MHZ 208-LQFP
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 36
系列： EP7
核心處理器： ARM7
芯體尺寸： 32-位
速度： 74MHz
連通性： 編解碼器，DAI，EBI/EMI，IrDA，鍵盤(pán)，SPI/Microwire1，UART/USART
外圍設(shè)備： LCD，LED，MaverickKey，POR，PWM
輸入/輸出數(shù)： 27
程序存儲(chǔ)器類(lèi)型： ROMless
RAM 容量： 56K x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： 2.3 V ~ 2.7 V
振蕩器型： 外部
工作溫度： 0°C ~ 70°C
封裝/外殼： 208-LQFP
包裝： 托盤(pán)
其它名稱： 598-1214
DS507F2
Copyright Cirrus Logic, Inc. 2011
(All Rights Reserved)
17
EP7309
High-Performance, Low-Power System on Chip
Static Memory Single Write Cycle
Note:
1. The cycle time can be extended by integer multiples of the clock period (22 ns at 45 MHz, 27 ns at 36 MHz, 54 ns at
18.432 MHz, and 77 ns at 13 MHz), by either driving EXPRDY low and/or by programming a number of wait states. EXPRDY is
sampled on the falling edge of EXPCLK before the data transfer. If low at this point, the transfer is delayed by one clock period
where EXPRDY is sampled again. EXPCLK need not be referenced when driving EXPRDY, but is shown for clarity.
2. Zero wait states for sequential writes is not permitted for memory devices which use nMWE pin, as this cannot be driven with
valid timing under zero wait state conditions.
3. Address, Data, Halfword, Word, and Write hold state until next cycle.
EXPCLK
nCS
A
nM W E
HALF-
WORD
D
WRITE
t
HW d
t
WDd
t
CSd
t
Ad
t
MW d
t
Dv
t
MW h
t
CSh
nM OE
EXPRDY
t
EXh
t
EXs
Figure 4. Static Memory Single Write Cycle Timing Measurement
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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