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FW5012-760

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • FW5012-760
    FW5012-760

    FW5012-760

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • Inventus Power

  • 原廠封裝

  • 16+

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • FW5012-760
    FW5012-760

    FW5012-760

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • Inventus Power

  • 原廠封裝

  • 16+

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • 1/1頁 40條/頁 共5條 
  • 1
FW5012-760 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • 插入式交流適配器 50 Watts 12V
  • RoHS
  • 制造商
  • Phihong
  • 地區(qū)
  • Universal
  • 安裝風(fēng)格
  • Wall, Interchangeable Plug
  • 輸入電壓范圍
  • 90 VAC to 264 VAC
  • 輸出端數(shù)量
  • 1
  • 輸出功率額定值
  • 5 W
  • 輸出電壓(通道 1)
  • 5 V
  • 輸出電流(通道 1)
  • 1 A
  • 直流輸出連接器
  • USB Type A
  • 隨附/必需的交流插頭
  • Required
  • 商用/醫(yī)用
  • Commercial
  • 效率
  • Level V
FW5012-760 技術(shù)參數(shù)
  • FW349-TL-E 功能描述:MOSFET N/P-CH 45V 5A/4.5A 8-SOP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):45V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):5A,4.5A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):37 毫歐 @ 5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):18.1nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):860pF @ 20V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.173",4.40mm 寬) 供應(yīng)商器件封裝:8-SOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 FW342-TL-E 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A 8-SOP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):6A,5A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):33 毫歐 @ 6A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):16nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):850pF @ 10V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.173",4.40mm 寬) 供應(yīng)商器件封裝:8-SOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 FW248-TL-E 功能描述:MOSFET 2N-CH 45V 6A 8-SOP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):45V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):6A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):34 毫歐 @ 6A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):23nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1040pF @ 20V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.173",4.40mm 寬) 供應(yīng)商器件封裝:8-SOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 FW231A-TL-E 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 8A 8-SOP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):8A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):23 毫歐 @ 8A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):21nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1530pF @ 10V 功率 - 最大值:2.3W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.173",4.40mm 寬) 供應(yīng)商器件封裝:8-SOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 FW1120G01 功能描述:General Purpose Relay DPDT (2 Form C) Chassis Mount 制造商:te connectivity aerospace, defense and marine 系列:軍用,MIL-R-5757/10,F(xiàn)W,CII 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 繼電器類型:通用 線圈類型:無鎖存 線圈電流:- 線圈電壓:26.5VDC 觸頭外形:DPDT(2 C 型) 額定接觸(電流):2A 開關(guān)電壓:28VDC - 標(biāo)稱 導(dǎo)通電壓(最大值):13 VDC 關(guān)閉電壓(最小值):2.3 VDC 工作時間:6ms 釋放時間:6ms 特性:- 安裝類型:底座安裝 端子類型:焊接鉤 觸頭材料:- 線圈功率:- 線圈電阻:- 工作溫度:-65°C ~ 125°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 FW50A33R0JA FW50A47R0JA FW50A4R70JA FW50A5R10JA FW50A68R0JA FW50A6R80JA FW50A82R0JA FW5200002Z FW520WFMT1 FW5A1101G00 FW5A11145G01 FW5A1196S11 FW5A1201G00 FW5A1220D00 FW5A1220G00 FW5A1296S02 FW6012-D5F FW6024-D5F
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