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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | F2001S |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 70V V(BR)DSS | 800MA I(D) |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 70V的五（巴西）直| 800mA的（?。?/td> |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/2頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 35K |
| 代理商： | F2001S |
POUT VS PIN GRAPH
F2001S
F2A 1 DIE CAPACITANCE VS VDS
VDS IN VOLTS
1
10
100
0
5
10
15
20
25
30
Crss
Coss
Ciss
F2A 1 DIE IV CURVE
VDS IN VOLTS
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
VGS = 2V
VGS = 4V
VGS = 6V
VGS = 8V
VGS = 10V
VGS 12V
F2A 1 DIE GM & ID vs VGS
Vgs in Volts
0.01
0.1
1
10
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
Gm
Id
POLYFET RF DEVICES
1110 Avenida Acaso, Camarillo, CA 93012 TEL:(805) 484-4210 FAX:(805) 484-3393 EMAIL:Sales@polyfet.com URL:www.polyfet.com
CAPACITANCE VS VOLTAGE
IV CURVE
ID AND GM VS VGS
S11 AND S22 SMITH CHART
PACKAGE DIMENSIONS IN INCHES
REVISION
8/1/97
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| F2001 | PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR |
| F2002S | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 70V V(BR)DSS | 1.6A I(D) |
| F2002 | PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR |
| F200R10K | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 200A I(C) | MODULE-S |
| F200R12KF | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 200A I(C) | MODULE-S |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| F2002 | 制造商:POLYFET 制造商全稱:Polyfet RF Devices 功能描述:PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR |
| F20022UGRTB0209N01BAU | 制造商:C&K Components 功能描述:TWO BANK INTERLOCED SWT |
| F20022UOATBF0209N01BAU | 制造商:C&K Components 功能描述:20MM TWO BANK SWT ASSY |
| F2002ERW | 制造商:MPD 制造商全稱:MicroPower Direct, LLC 功能描述:Low Cost, Compact 20W, 2:1 Input Range DC/DC Converters |
| F2002S | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 70V V(BR)DSS | 1.6A I(D) |
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