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參數(shù)資料
| 型號： | F49B002UA |
| 廠商： | Elite Semiconductor Memory Technology Inc. |
| 英文描述： | 2 Mbit (256K x 8) 5V Only CMOS Flash Memory |
| 中文描述： | 2兆位（256K × 8）5V的只有閃存的CMOS |
| 文件頁數(shù)： | 15/33頁 |
| 文件大小： | 335K |
| 代理商： | F49B002UA |
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EFS T
F49B002UA
11.2 Program/Erase Operation
Table 10.
WE
Controlled Program/Erase Operations( T
A
= 0C to 70C, V
CC
= 4.5V~5.5V )
Elite Flash Storage Technology Inc.
Publication Date : Sep. 2006
Revision: 1.4 15/33
-70
-90
Symbol
Description
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
t
WC
Write Cycle Time (Note 1)
70
90
ns
t
AS
Address Setup Time
0
0
ns
t
AH
Address Hold Time
45
45
ns
t
DS
Data Setup Time
30
30
ns
t
DH
Data Hold Time
0
0
ns
t
OES
Output Enable Setup Time
0
0
ns
t
GHWL
Read Recovery Time Before
Write (
OE
High to
WE
l
ow)
0
0
ns
t
CS
CE
Setup Time
0
0
ns
t
CH
CE
Hold Time
0
0
ns
t
WP
Write Pulse Width
35
35
ns
t
WPH
Write Pulse Width High
20
20
ns
Notes :
1. Not 100% tested.
2. See the "Programming & Erasing Operation Performance" section for more information.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| F49L004BA | 4 Mbit (512K x 8) 3V Only CMOS Flash Memory |
| FLH0041G | 0.2 Amp Linear Power Operational Amplifier in a Hermetic 12-lead Package |
| FLM3439-12F | C-Band Internally Matched FET |
| FLM5359-12F | C-Band Internally Matched FET |
| FM25L16 | 4Kb FRAM Serial 3V Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| F49B002UA-70D | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:2 Mbit (256K x 8) 5V Only CMOS Flash Memory |
| F49B002UA-70N | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:2 Mbit (256K x 8) 5V Only CMOS Flash Memory |
| F49L004BA | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:4 Mbit (512K x 8) 3V Only CMOS Flash Memory |
| F49L004BA-70N | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:4 Mbit (512K x 8) 3V Only CMOS Flash Memory |
| F49L004BA-70T | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:4 Mbit (512K x 8) 3V Only CMOS Flash Memory |
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