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參數(shù)資料
| 型號： | FA01220A |
| 廠商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | CAP CER 2.2UF 6.3V X5R 0402 |
| 中文描述： | 砷化鎵場效應管混合集成電路 |
| 文件頁數(shù)： | 3/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 21K |
| 代理商： | FA01220A |
FA01220A
MITSUBISHI SEMICONDUCTOR GaAs FET
GaAs FET HYBRID IC
Nov. ′97
I
Dt
vs V
D
V
D
(V)
3.0
3.8
4.0
800
500
600
700
3.2
3.4
3.6
V
G
=-2.5V
f=1453MHz
P
O
=30.5dBm
TYPICAL CHARACTERISTICS 2
Gain, ACP vs V
D
V
D
(V)
3.0
3.8
4.0
25
10
15
20
3.2
3.4
3.6
ACP(-50kHz)
Gain
0
-20
-10
-30
-40
-50
-60
-70
V
G
=-2.5V
f=1453MHz
P
O
=30.5dBm
ACP(+50kHz)
ACP(-100kHz)
ACP(+100kHz)
EQUIVALENT CIRCUIT
1ST DRAIN
2ND DRAIN
RF OUTPUT
GND
RF INPUT
1ST GATE
2ND GATE
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MATCHING
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