參數資料
型號： FD600R16KF4
英文描述： TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.6KV V(BR)CES | 600A I(C)
中文描述： 晶體管| IGBT功率模塊|獨立| 1.6KV五（巴西）國際消費電子展| 601余（丙）
文件頁數： 8/8頁
文件大?。?/td> 254K
代理商： FD600R16KF4
Technische Information / Technical Information
F
D
600R17KF6C B2
IGBT-Module
IGBT-Modules
uere Abmessungen / external dimensions
1
8 (8)
FD600R17KF6C B2
.xls
相關PDF資料
PDF描述
FD6R16K4 IGBT Module
FD700.TR
FD700 Ultra Fast Diodes
FD800R17KF6CB2V IGBT Module
FD915 Interface IC
相關代理商/技術參數
參數描述
FD600R17KE3_B2 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 950A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FD600R17KE3-K_B5 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 950A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FD600R17KF4C 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 1700V 650A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FD600R17KF6B2 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module
FD600R17KF6C_B2 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 975A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯系方式

*
*
*