型號(hào): |
FDB33N25TM |
廠商: |
Fairchild Semiconductor |
文件頁數(shù): |
1/8頁 |
文件大?。?/td>
| 0K |
描述: |
MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK |
標(biāo)準(zhǔn)包裝: |
1 |
系列: |
UniFET™ |
FET 型: |
MOSFET N 通道,金屬氧化物
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FET 特點(diǎn): |
標(biāo)準(zhǔn)
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漏極至源極電壓(Vdss): |
250V
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電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: |
33A
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開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: |
94 毫歐 @ 16.5A,10V
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Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): |
5V @ 250µA
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閘電荷(Qg) @ Vgs: |
48nC @ 10V
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輸入電容 (Ciss) @ Vds: |
2135pF @ 25V
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功率 - 最大: |
235W
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安裝類型: |
表面貼裝
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封裝/外殼: |
TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
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供應(yīng)商設(shè)備封裝: |
D²PAK
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包裝: |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
產(chǎn)品目錄頁面: |
1606 (CN2011-ZH PDF)
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其它名稱: |
FDB33N25TMDKR
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