| 型號： | FDB3652 |
| 廠商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件頁數： | 1/13頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 61A TO-263AB |
| 產品培訓模塊： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 產品目錄繪圖： | D2PAK, TO-263AB Pkg MOSFET TO-3P Pkg MOSFET TO-3P(N) |
| 標準包裝： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點： | 標準 |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 100V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 61A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 16 毫歐 @ 61A，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 53nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 2880pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 150W |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB |
| 供應商設備封裝： | TO-263AB |
| 包裝： | 標準包裝 |
| 產品目錄頁面： | 1606 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名稱： | FDB3652DKR |