參數(shù)資料
型號(hào): FDB6670AL
廠商: Fairchild Semiconductor
文件頁數(shù): 5/5頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
產(chǎn)品變化通告: Product Discontinuation 27/Feb/2012
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 800
系列: PowerTrench®
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 80A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 6.5 毫歐 @ 40A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 33nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 2440pF @ 15V
功率 - 最大: 68W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝: D²PAK
包裝: 帶卷 (TR)