參數(shù)資料
型號: FDB8441
廠商: Fairchild Semiconductor
文件頁數(shù): 1/7頁
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描述: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
系列: PowerTrench®
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 40V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 80A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 2.5 毫歐 @ 80A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 280nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 15000pF @ 25V
功率 - 最大: 300W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝: D²PAK
包裝: 標(biāo)準(zhǔn)包裝
產(chǎn)品目錄頁面: 1606 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱: FDB8441DKR