| 型號： | FDC2612_F095 |
| 廠商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件頁數(shù)： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 1.1A 6-SSOT |
| 產(chǎn)品變化通告： | Mold Compound Change 08/April/2008 |
| 標準包裝： | 3,000 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點： | 標準 |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 200V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 1.1A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 725 毫歐 @ 1.1A，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 11nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 234pF @ 100V |
| 功率 - 最大： | 800mW |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 |
| 供應商設備封裝： | 6-SSOT |
| 包裝： | 帶卷 (TR) |