| 型號(hào)： | FDC6301N |
| 廠商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/5頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC FET DGTL N-CH DUAL 25V SSOT6 |
| 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 產(chǎn)品變化通告： | Design/Process Change 11/May/2007 Mold Compound Change 08/April/2008 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 1 |
| FET 型： | 2 個(gè) N 溝道（雙） |
| FET 特點(diǎn)： | 邏輯電平門(mén) |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 25V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 220mA |
| 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4 歐姆 @ 400mA，4.5V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 0.7nC @ 4.5V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 9.5pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安裝類(lèi)型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 6-SSOT |
| 包裝： | 標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
| 產(chǎn)品目錄頁(yè)面： | 1216 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名稱(chēng)： | FDC6301NDKR |