| 型號(hào)： |
FDC6306P |
| 廠商： |
Fairchild Semiconductor |
| 文件頁數(shù)： |
3/5頁 |
| 文件大小： |
0K |
| 描述： |
MOSFET P-CHAN DUAL 20V SSOT6 |
| 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： |
High Voltage Switches for Power Processing
|
| 產(chǎn)品變化通告： |
Mold Compound Change 08/April/2008
|
| 產(chǎn)品目錄繪圖： |
MOSFET SuperSOT-6
|
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： |
1 |
| 系列： |
PowerTrench® |
| FET 型： |
2 個(gè) P 溝道（雙）
|
| FET 特點(diǎn)： |
邏輯電平門
|
| 漏極至源極電壓(Vdss)： |
20V
|
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： |
1.9A
|
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： |
170 毫歐 @ 1.9A，4.5V
|
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）： |
1.5V @ 250µA
|
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： |
4.2nC @ 4.5V
|
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： |
441pF @ 10V
|
| 功率 - 最大： |
700mW
|
| 安裝類型： |
表面貼裝
|
| 封裝/外殼： |
SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6
|
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： |
6-SSOT
|
| 包裝： |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
| 產(chǎn)品目錄頁面： |
1603 (CN2011-ZH PDF)
|
| 其它名稱： |
FDC6306PDKR
|