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      參數資料
      

      


      


      
型號：
FDC638APZ

      

      
廠商：
Fairchild Semiconductor

      

      
文件頁數：
2/5頁

      

      
文件大?。?/td>
0K

      

      
描述：
MOSFET P-CH 20V 4.5A SSOT-6

      

      
產品變化通告：
Mold Compound Change 08/April/2008
      		

      

      
產品目錄繪圖：
MOSFET SuperSOT-6
      		

      

      
標準包裝：
1

      

      
系列：
PowerTrench®

      

      
FET 型：
MOSFET P 通道，金屬氧化物
      		

      

      
FET 特點：
邏輯電平門
      		

      

      
漏極至源極電壓(Vdss)：
20V
      		

      

      
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：
4.5A
      		

      

      
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：
43 毫歐 @ 4.5A，4.5V
      		

      

      
Id 時的 Vgs(th)（最大）：
1.5V @ 250µA
      		

      

      
閘電荷(Qg) @ Vgs：
12nC @ 4.5V
      		

      

      
輸入電容 (Ciss) @ Vds：
1000pF @ 10V
      		

      

      
功率 - 最大：
800mW
      		

      

      
安裝類型：
表面貼裝
      		

      

      
封裝/外殼：
SOT-23-6 細型，TSOT-23-6
      		

      

      
供應商設備封裝：
6-SSOT
      		

      

      
包裝：
標準包裝

      

      
產品目錄頁面：
1603 (CN2011-ZH PDF)
      		

      

      
其它名稱：
FDC638APZDKR