參數(shù)資料
型號(hào)： FDFMC2P120
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： Integrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode
中文描述： 3.5 A, 20 V, 0.2 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MO-229WEEA
封裝： 3 X 3 MM, 0.80 MM HEIGHT, MLP-6
文件頁數(shù)： 5/7頁
文件大?。?/td> 123K
代理商： FDFMC2P120
FDFMC2P120 Rev.E (W)
Typical Characteristics
0
1
2
3
4
5
0
1
2
3
4
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
-
G
,
I
D
= -3.5A
V
DS
= -5V
-15V
-10V
0
100
200
300
400
500
0
4
8
12
16
20
-V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C
iss
C
rss
C
oss
f = 1MHz
V
GS
= 0 V
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
0.001
0.01
0.1
1
10
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
V
F
, FORWARD VOLTAGE (V)
I
F
,
T
J
= 25
o
C
T
J
= 125
o
C
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
0
5
10
15
20
V
R
, REVERSE VOLTAGE (V)
I
R
,
T
J
= 25
o
C
T
J
= 125
o
C
T
J
= 100
o
C
Figure 9. Schottky Diode Forward Voltage.
Figure 10. Schottky Diode Reverse Current .
0.01
0.1
1
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t
1
, TIME (sec)
r
T
R
θ
JA
(t) = r(t) * R
θ
JA
R
θ
JA
=145 °C/W
T
J
- T
A
= P * R
θ
JA
(t)
Duty Cycle, D = t
1
/ t
2
P(pk)
t
1
t
2
SINGLE PULSE
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
D = 0.5
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1b.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
F
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PDF描述
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