參數(shù)資料
型號： FDH038AN08A1
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel PowerTrench MOSFET
中文描述： 22 A, 75 V, 0.0038 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
封裝： TO-247, 3 PIN
文件頁數(shù)： 7/10頁
文件大?。?/td> 214K
代理商： FDH038AN08A1
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FDH038AN08A1 Rev. A
F
PSPICE Electrical Model
.SUBCKT FDH038AN08A1 2 1 3 ;
CA 12 8 1.0e-9
Cb 15 14 3.1e-9
Cin 6 8 8.22e-9
rev January 2003
Dbody 7 5 DbodyMOD
Dbreak 5 11 DbreakMOD
Dplcap 10 5 DplcapMOD
Ebreak 11 7 17 18 84.9
Eds 14 8 5 8 1
Egs 13 8 6 8 1
Esg 6 10 6 8 1
Evthres 6 21 19 8 1
Evtemp 20 6 18 22 1
It 8 17 1
Lgate 1 9 4.81e-9
Ldrain 2 5 1.0e-9
Lsource 3 7 4.63e-9
RLgate 1 9 48.1
RLdrain 2 5 10
RLsource 3 7 46.3
Mmed 16 6 8 8 MmedMOD
Mstro 16 6 8 8 MstroMOD
Mweak 16 21 8 8 MweakMOD
Rbreak 17 18 RbreakMOD 1
Rdrain 50 16 RdrainMOD 2.0e-4
Rgate 9 20 20
RSLC1 5 51 RSLCMOD 1.0e-6
RSLC2 5 50 1e3
Rsource 8 7 RsourceMOD 2.6e-3
Rvthres 22 8 RvthresMOD 1
Rvtemp 18 19 RvtempMOD 1
S1a 6 12 13 8 S1AMOD
S1b 13 12 13 8 S1BMOD
S2a 6 15 14 13 S2AMOD
S2b 13 15 14 13 S2BMOD
Vbat 22 19 DC 1
ESLC 51 50 VALUE={(V(5,51)/ABS(V(5,51)))*(PWR(V(5,51)/(1e-6*300),10))}
.MODEL DbodyMOD D (IS=2.4E-11 N=1.02 RS=1.65e-3 TRS1=3.2e-3 TRS2=2.0e-7
+ CJO=6.0e-9 M=5.6e-1 TT=2.38e-8 XTI=3.9)
.MODEL DbreakMOD D (RS=1.5e-1 TRS1=1.0e-3 TRS2=-8.9e-6)
.MODEL DplcapMOD D (CJO=1.5e-9 IS=1.0e-30 N=10 M=0.47)
.MODEL MmedMOD NMOS (VTO=3.2 KP=1.5 IS=1.0e-30 N=10 TOX=1 L=1u W=1u RG=20)
.MODEL MstroMOD NMOS (VTO=3.95 KP=235 IS=1.0e-30 N=10 TOX=1 L=1u W=1u)
.MODEL MweakMOD NMOS (VTO=2.73 KP=0.02 IS=1e-30 N=10 TOX=1 L=1u W=1u RG=200 RS=.01)
.MODEL RbreakMOD RES (TC1=1.05e-3 TC2=-9.0e-7)
.MODEL RdrainMOD RES (TC1=1.8e-2 TC2=2.2e-4)
.MODEL RSLCMOD RES (TC1=2.0e-3 TC2=1.0e-5)
.MODEL RsourceMOD RES (TC1=5.0e-3 TC2=1.0e-6)
.MODEL RvthresMOD RES (TC1=-4.2e-3 TC2=-1.8e-5)
.MODEL RvtempMOD RES (TC1=-4.5e-3 TC2=2.0e-6)
.MODEL S1AMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=-4 VOFF=-1.5)
.MODEL S1BMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=-1.5 VOFF=-4)
.MODEL S2AMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=-0.5 VOFF=0.5)
.MODEL S2BMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=0.5 VOFF=-0.5)
.ENDS
Note: For further discussion of the PSPICE model, consult
A New PSPICE Sub-Circuit for the Power MOSFET Featuring Global
Temperature Options
; IEEE Power Electronics Specialist Conference Records, 1991, written by William J. Hepp and C. FrankWheatley.
18
22
+
-
6
8
+
-
5
51
+
-
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8
+
-
17
18
-
6
8
+
-
5
8
+
-
RBREAK
RVTEMP
19
VBAT
RVTHRES
IT
17
18
22
12
13
15
S1A
S1B
S2A
S2B
CA
CB
EGS
EDS
14
8
13
8
14
13
MWEAK
EBREAK
DBODY
RSOURCE
SOURCE
3
11
7
LSOURCE
RLSOURCE
CIN
RDRAIN
EVTHRES
16
21
8
MMED
MSTRO
DRAIN
2
LDRAIN
RLDRAIN
DBREAK
DPLCAP
ESLC
RSLC1
51
10
5
50
RSLC2
1
GATE
RGATE
EVTEMP
9
ESG
LGATE
RLGATE
20
+
-
+
6
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