參數(shù)資料
型號： FDI047AN08A0
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel PowerTrench MOSFET 75V, 80A, 4.7mз
中文描述： 80 A, 75 V, 0.0047 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AB
封裝： TO-262AB, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/10頁
文件大小： 606K
代理商： FDI047AN08A0
2004 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP047AN08A0 / FDI047AN08A0 / FDH047AN08A0 Rev. C
F
Figure 11. Normalized Gate Threshold Voltage vs
Junction Temperature
Figure 12. Normalized Drain to Source
Breakdown Voltage vs Junction Temperature
Figure 13. Capacitance vs Drain to Source
Voltage
Figure 14. Gate Charge Waveforms for Constant
Gate Currents
Typical Characteristics
T
C
= 25°C unless otherwise noted
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
-80
-40
0
40
80
120
160
200
N
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
μ
A
T
0.90
0.95
1.00
1.05
1.10
1.15
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
N
I
D
= 250
μ
A
B
100
1000
10000
0.1
1
10
75
C
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
V
GS
= 0V, f = 1MHz
C
ISS
=
C
GS
+ C
GD
C
OSS
C
DS
+ C
GD
C
RSS
=
C
GD
0
2
4
6
8
10
0
25
50
75
100
V
G
,
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
V
DD
= 40V
I
D
= 80A
I
D
= 10A
WAVEFORMS IN
DESCENDING ORDER:
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PDF描述
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參數(shù)描述
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