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Datasheet目錄422
> FDMS86200 (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 150V POWER56 Datasheet資料下載
參數(shù)資料
型號:
FDMS86200
廠商:
Fairchild Semiconductor
文件頁數(shù):
3/7頁
文件大?。?/td>
0K
描述:
MOSFET N-CH 150V POWER56
標準包裝:
1
系列:
PowerTrench®
FET 型:
MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點:
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss):
150V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:
9.6A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:
18 毫歐 @ 9.6A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大):
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs:
46nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds:
2715pF @ 75V
功率 - 最大:
2.5W
安裝類型:
表面貼裝
封裝/外殼:
8-PQFN,Power56
供應商設(shè)備封裝:
Power56
包裝:
標準包裝
其它名稱:
FDMS86200DKR
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