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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | FJC1386P |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 5A I(C) | SOT-89 |
| 中文描述： | 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SOT-89, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/4頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 51K |
| 代理商： | FJC1386P |
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A1, August 2002
F
SOT-89
1
PNP Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
C
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current (DC)
P
C
Power Dissipation(T
C
=25
°
C)
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
Electrical Characteristics
T
C
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
BV
CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
BV
CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
BV
EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
I
CBO
Collector Cut-off Current
I
EBO
Emitter Cut-off Current
h
FE
DC Current Gain
V
CE
(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
V
BE
(sat)
Base-Emitter Saturation Voltage
Thermal Characteristics
T
C
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
R
θ
jA
Thermal Resistance, Junction to Ambient
h
FE
Classification
Classification
h
FE
Parameter
Value
-30
-20
-6
-5
0.5
150
- 55 ~ 150
Units
V
V
V
A
W
°
C
°
C
Test Condition
I
C
=-50
μ
A, I
E
=0
I
C
=-1mA, I
B
=0
I
E
=-50
μ
A, I
C
=0
V
CB
=-20V, V
B
=0
V
EB
=-5V, I
C
=0
V
CE
=-2V, I
C
=-0.5A
I
C
=-4, I
B
=-0.1A
I
C
=-4, I
B
=-0.1A
Min.
-30
-20
-6
Typ.
Max.
Units
V
V
V
μ
A
μ
A
-0.5
-0.5
390
-1.0
-1.5
80
V
V
Parameter
Max
250
Units
°
C/W
P
Q
R
80 ~ 180
120 ~ 270
180 ~ 390
FJC1386
Low Saturation Transistor
Medium Power Amplifier
Complement to FJC2098
High Collector Current
Low Collector-Emitter Saturation Voltage
1. Base 2. Collector 3. Emitter
FAP
Marking
h
FE
grade
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PDF描述 |
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