參數(shù)資料
型號： FJPF13009
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： High Voltage Switch Mode Application
中文描述： 12 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： TO-220F, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大小： 53K
代理商： FJPF13009
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
F
Rev. A, May 2003
Typical Characteristics
Figure 1. DC current Gain
Figure 2. Base-Emitter Saturation Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Figure 3. Collector Output Capacitance
Figure 4. Turn On Time
Figure 5. Turn Off Time
Figure 6. Forward Bias Safe Operating Area
0.1
1
10
100
1
10
100
V
CE
= 5V
h
F
,
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
I
C
= 3 I
B
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
V
B
(
C
(
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
0.1
1
10
100
1000
1
10
100
1000
C
o
[
V
CB
[V], COLLECTOR-BASE VOLTAGE
0.1
1
10
100
10
100
1000
10000
V
CC
=125V
I
C
=5I
B
t
D
, V
BE
(off)=5V
t
R
t
R
,
D
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
0.1
1
10
100
100
1000
10000
V
CC
=125V
I
C
=5I
B
t
F
t
STG
t
S
,
F
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
1
10
100
1000
0.01
0.1
1
10
100
10
μ
s
100
μ
s
1ms
DC
I
C
[
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
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PDF描述
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FJPF13009H2TU 功能描述:兩極晶體管 - BJT 700V/400 /12A/NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FJPF13009TTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Silicon Trans RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FJPF13009TU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Sil Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FJPF1943 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:PNP Epitaxial Silicon Transistor
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