參數(shù)資料
型號： FKPF10N80
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 晶閘管
英文描述： Application Explanation
中文描述： 800 V, 10 A, TRIAC, TO-220AB
封裝： TO-220F, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/7頁
文件大?。?/td> 171K
代理商： FKPF10N80
2004 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. B1, April 2004
F
Bi-Directional Triode Thyristor Planar Silicon
Absolute Maximum Ratings
T
C
=25
°
C
unless otherwise noted
Thermal Characteristic
Symbol
V
DRM
Parameter
Rating
800
Units
V
Repetitive Peak Off-State Voltage
(Note1 )
Symbol
I
T (RMS)
Parameter
Conditions
Rating
10
Units
A
RMS On-State Current
Commercial frequency, sine full wave 360
°
conduction, T
C
=86
°
C
Sinewave 1 full cycle, peak value,
non-repetitive
I
TSM
Surge On-State Current
50Hz
60Hz
100
110
50
A
A
I
2
t
I
2
t for Fusing
Value corresponding to 1 cycle of halfwave,
surge on-state current, tp=10ms
I
G
= 2x I
GT
, tr
≤
100ns
A
2
s
di/dt
P
GM
P
G (AV)
V
GM
I
GM
T
J
T
STG
V
iso
Critical Rate of Rise of On-State Current
Peak Gate Power Dissipation
Average Gate Power Dissipation
Peak Gate Voltage
Peak Gate Current
Junction Temperature
Storage Temperature
Isolation Voltage
50
5
0.5
10
2
A/
μ
s
W
W
V
A
°
C
°
C
V
- 40 ~ 125
- 40 ~ 125
1500
Ta=25
°
C, AC 1 minute, T
1
T
2
G terminal to
case
Symbol
R
th(J-C)
Parameter
Test Condition
Min.
-
Typ.
-
Max.
3.4
Units
°
C/W
Thermal Resistance
Junction to case
(Note 4)
FKPF10N80
Application Explanation
Switching mode power supply, light dimmer, electric flasher unit, hair drier
TV sets, stereo, refrigerator, washing machine
Electric blanket, solenoid driver, small motor control
Photo copier, electric tool
1 2 3
TO-220F
1
2
3
1: T
1
2: T
2
3: Gate
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