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參數(shù)資料
| 型號： | FM2100-MH |
| 廠商： | 美麗微半導(dǎo)體有限公司 |
| 英文描述： | MICRO FLEX DATA LINK CENTERLINE: .050" (1,27MM) |
| 中文描述： | 肖特基二極管芯片-硅外延式龍門 |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 79K |
| 代理商： | FM2100-MH |
FM220-MH THRU FM2100-MH
Features
Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O Utilizing Flame
Retardant Epoxy Molding Compound.
For surface mounted applications.
Exceeds environmental standards of ML-S-19500 /
228
Low leakage current.
Mechanical data
Case : Molded plastic, JEDECSOD-123H
Terminals : Solder plated, solderable per MIL-STD-750,
Method 2026
Polarity : Indicated by cathode band
Mounting Position : Any
Weight : 0.0393 gram
(V)
(V)
(V)
(V)
(
o
C)
FM220-MH
22
20
14
20
FM230-MH
23
30
21
30
FM240-MH
24
40
28
40
FM250-MH
25
50
35
50
FM260-MH
26
60
42
60
FM280-MH
28
80
56
80
FM2100-MH
20
100
70
100
SYMBOLS
MARKING
CODE
Operating
temperature
V
RRM
*1
V
RMS
*2
V
R
*3
V
F
*4
0.70
-55 to +125
-55 to +150
0.85
0.50
MAXIMUM RATINGS
(AT T
A
=25
o
C unless otherwise noted)
PARAMETER
CONDITIONS
Symbol
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Forward rectified current
See Fig.1
I
O
2.0
A
Forward surge current
8.3ms single half sine-wave superimposed on
rate load (JEDEC methode)
I
FSM
40
A
V
R
= V
RRM
T
A
= 25
o
C
0.5
mA
V
R
= V
RRM
T
A
= 125
o
C
10
mA
Thermal resistance
Junction to ambient
R
q
JA
85
o
C / w
Diode junction capacitance
f=1MHz and applied 4vDC reverse voltage
C
J
160
pF
Storage temperature
T
STG
-55
+150
o
C
Reverse current
I
R
*1 Repetitive peak reverse voltage
*2 RMS voltage
*3 Continuous reverse voltage
*4 Maximum forward voltage
Chip Schottky Barrier Diodes
Silicon epitaxial planer type
Formosa MS
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012(0.3) Typ.
0.071(1.8)
0.055(1.4)
0.035(0.9)
0.028(0.7)
0.031(0.8) Typ.
Dimensions in inches and (millimeters)
SOD-123H
0.031(0.8) Typ.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FM220-MH | Chip Schottky Barrier Diodes - Silicon epitaxial planer type |
| FM250-MH | Chip Schottky Barrier Diodes - Silicon epitaxial planer type |
| FM240-MH | CONN HEADER .05 60POS DUAL SMD |
| FM280-MH | Chip Schottky Barrier Diodes - Silicon epitaxial planer type |
| FM230-M | Silicon epitaxial planer type |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FM2100-N | 制造商:FORMOSA 制造商全稱:Formosa MS 功能描述:Chip Schottky Barrier Diodes - Silicon epitaxial planer type |
| FM2100-W | 功能描述:肖特基二極管與整流器 2A 100V Schottky RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel |
| FM2101-2545-A | 功能描述:支架與墊片 2.5 x 0.45 THRD ALUM MAL/FML 6mm LENGTH RoHS:否 制造商:Schurter 類型:Transipillar Spacers 長度:16 m 螺紋大小:M4 外徑:10 mm 材料:Nylon with Steel 電鍍:Zinc |
| FM2101-2545-SS | 功能描述:支架與墊片 2.5 x 0.45 THRD SS MAL/FML 6mm LENGTH RoHS:否 制造商:Schurter 類型:Transipillar Spacers 長度:16 m 螺紋大小:M4 外徑:10 mm 材料:Nylon with Steel 電鍍:Zinc |
| FM2101-3005-A | 功能描述:支架與墊片 3.0 X .05 THRD ALUM MAL/FML 6mm LENGTH RoHS:否 制造商:Schurter 類型:Transipillar Spacers 長度:16 m 螺紋大小:M4 外徑:10 mm 材料:Nylon with Steel 電鍍:Zinc |
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