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參數(shù)資料
| 型號： | FM25W256-S |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | 256Kb FRAM Wide Voltage Serial Memory |
| 中文描述： | 寬電壓的256Kb串行FRAM的記憶 |
| 文件頁數(shù)： | 10/13頁 |
| 文件大小： | 165K |
| 代理商： | FM25W256-S |
AC Parameters
(T
A
= -40
°
C to + 85
°
C, C
L
= 30pF)
Symbol
Parameter
f
CK
SCK Clock Frequency
t
CH
Clock High Time
t
CL
Clock Low Time
t
CSU
Chip Select Setup
t
CSH
Chip Select Hold
t
OD
Output Disable Time
t
ODV
Output Data Valid Time
t
OH
Output Hold Time
t
D
Deselect Time
t
R
Data In Rise Time
t
F
Data In Fall Time
t
SU
Data Setup Time
t
H
Data Hold Time
t
HS
/Hold Setup Time
t
HH
/Hold Hold Time
t
HZ
/Hold Low to Hi-Z
t
LZ
/Hold High to Data Active
Notes
1.
t
CH
+ t
CL
= 1/f
CK
.
2.
This parameter is characterized but not 100% tested.
3.
Rise and fall times measured between 10% and 90% of waveform.
Power Cycle Timing
(T
A
= -40
°
C to + 85
°
C, V
DD
= 2.7V to 5.5V)
Symbol
t
PU
Power Up (V
DD
min) to First Access (/CS low)
t
VR
V
DD
Rise Time
t
VF
V
DD
Fall Time
Capacitance
(T
A
= 25
°
C, f=1.0 MHz, V
DD
= 3.3V)
Symbol
C
O
Output capacitance (SO)
C
I
Input capacitance
Notes
1.
This parameter is characterized and not 100% tested.
2.
Slope measured at any point on V
DD
waveform.
Data Retention
(V
DD
= 2.7V to 5.5V)
Parameter
Data Retention
AC Test Conditions
Input Pulse Levels
Input rise and fall times
Input and output timing levels
FM25W256
Rev. 1.0
Aug. 2004
Page 10 of 13
V
DD
2.7 to 3.3V
Min
0
22
22
10
10
0
60
5
5
10
10
V
DD
3.3 to 5.5V
Min
0
18
18
10
10
0
60
5
5
10
10
Max
20
20
22
50
50
20
20
Max
25
15
15
50
50
20
15
Units
MHz
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Notes
1
1
2
1,3
1,3
2
2
Parameter
Min
10
50
100
Max
-
-
Units
ms
μ
s/V
μ
s/V
Notes
1,2
1,2
Parameter
Min
-
-
Max
8
6
Units
pF
pF
Notes
1
1
Min
10
Max
-
Units
Years
Notes
10% and 90% of V
DD
5 ns
0.5 V
DD
Equivalent AC Load Circuit
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FM30C256 | 12 AMP MINIATURE POWER RELAY |
| FM30C256-S | 256Kb Data Collector |
| FM361 | 2mm TERMINAL STRIP |
| FM362 | 2mm TERMINAL STRIP |
| FM3808 | 4Kb FRAM Serial 3V Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FM25W3S-K121 | 制造商:FCT Group 功能描述: |
| FM25W64-G | 功能描述:F-RAM SPI FRAM 64k 3-5V RoHS:否 存儲容量:512 Kbit 組織:64 K x 8 接口:SPI 工作電源電壓:2 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube 制造商:Cypress Semiconductor |
| FM25W64-GTR | 功能描述:F-RAM SPI FRAM 64k 3-5V RoHS:否 存儲容量:512 Kbit 組織:64 K x 8 接口:SPI 工作電源電壓:2 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube 制造商:Cypress Semiconductor |
| FM260 | 功能描述:肖特基二極管與整流器 SM Schot Bar Rect SMB,2A,60V. RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel |
| FM260A | 功能描述:肖特基二極管與整流器 SM Schot Bar Rect SMB,2A,60V. RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel |
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