參數(shù)資料
型號： FMBS5551
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： NPN General Purpose Amplifier
中文描述： 600 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SUPERSOT-6, 6 PIN
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大小： 90K
代理商： FMBS5551
2004 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A1, November 2004
F
Thermal Characteristics
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
P
D
Total Device Dissipation *
R
θ
JA
Thermal Resistance, Junction to Ambient, total
* Device mounted on a 1 in 2 pad of 2 oz copper.
Parameter
Max.
700
180
Units
mW
°
C/W
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FMBSA06 NPN General Purpose Amplifier
FMBSA56 PNP General Purpose Amplifier
FMBT3906 PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
FMC2122C6-03 Ku K-Brand Power GaAs Modules
FMC2122LN-03 Ku K-Brand Power GaAs Modules
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FMBSA06 功能描述:兩極晶體管 - BJT Amplifier PNP General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FMBSA56 功能描述:兩極晶體管 - BJT Amplifier PNP General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FMBSS84 制造商:FORMOSA 制造商全稱:Formosa MS 功能描述:50V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
FMBT1015 制造商:FCI 制造商全稱:First Components International 功能描述:PNP Epitaxial Planar Transistor Collector - Emitter Voltage VCEO
FMBT1815 制造商:FCI 制造商全稱:First Components International 功能描述:NPN Epitaxial Planar Transistor Collector - Emitter Voltage VCEO
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*