參數(shù)資料
型號(hào)： FMC7A
廠商： Rohm CO.,LTD.
英文描述： Power Management(Dual Digital Transistors)(電源管理(雙數(shù)字晶體管))
中文描述： 電源管理（雙數(shù)字晶體管）（電源管理（雙數(shù)字晶體管））
文件頁(yè)數(shù)： 1/1頁(yè)
文件大?。?/td> 41K
代理商： FMC7A
(94S-815-AC143T)
(96-475-AC144E)
592
Transistors
UMC1N / FMC1A
UMD12N / FMC7A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FMC2A Power management (dual digital transistor)
FMC2 Epitaxial Planar Dual Mini-Mold PNP/NPN Silicon Transistor
FMC3A Power Management(Dual Digital Transistors)(電源管理(雙數(shù)字晶體管))
FMC4A Power Management(Dual Digital Transistors)(電源管理(雙數(shù)字晶體管))
FMC5A Power Management(Dual Digital Transistors)(電源管理(雙數(shù)字晶體管))
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FMC7G10US60 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FMC7G15US60 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FMC7G20US60 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FMC7G30US60 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FMC7G50US60 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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