參數(shù)資料
型號： FMG2G200US60
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Molding Type Module
中文描述： 200 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： PLASTIC, 7PM-HA, 7 PIN
文件頁數(shù)： 5/7頁
文件大?。?/td> 726K
代理商： FMG2G200US60
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FMG2G200US60 Rev. A
F
0
40
80
120
160
200
5
10
50
t
rr
Common Cathode
di/dt = 400A/
T
C
= 25
℃
T
C
= 100
℃
I
rr
P
e
e
e
u
]
R
e
e
e
Forw
ard C
urrent, I
F
[A
]
Fig 13. Reverse Recovery Characteristics(diode)
相關PDF資料
PDF描述
FMG2G300LS60E Molding Type Module
FMG2G300US60E Molding Type Module
FMG2G300US60 Molding Type Module
FMG2G400LS60 Molding Type Module
FMG2G400US60 Molding Type Module
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
FMG2G300LS60E 功能描述:IGBT 模塊 600V 300A IGBT Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FMG2G300US60 功能描述:IGBT 模塊 Molding Type Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FMG2G300US60E 功能描述:IGBT 模塊 Molding Type Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FMG2G300US60E_Q 功能描述:IGBT 晶體管 Molding Type Module RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
FMG2G400LS60 功能描述:IGBT 模塊 600V 400A IGBT Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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