參數(shù)資料
型號： FMG2G300LS60E
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Molding Type Module
中文描述： 300 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： PLASTIC, 7PM-HA, 7 PIN
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大小： 437K
代理商： FMG2G300LS60E
2004 Fairchild Semiconductor Corporation
FMG2G300LS60E Rev. A
F
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
0
100
200
300
400
Common Emitter
V
GE
= 15V
T
C
= 25
T
C
= 125
------
℃ ℃℃
℃
C
o
u
C
]
C
ollector - Em
itter Voltage, V
C
E
[V]
10
20
ate R
30
40
50
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
Tr
Ton
G
esistance, R
G
[
]
S
i
e
Common Emitter
V
CC
= 300V, V
GE
= ± 15V
Ic = 300A
T
C
= 25
℃ ℃℃
T
C
= 125
------
℃
10
20
30
40
50
1
2
3
4
5
6
7
8
Tf
Toff
S
i
e
G
ate R
esistance, R
G
[
]
Common Emitter
V
CC
= 300V, V
GE
= ± 15V
Ic = 300A
T
C
= 25
℃ ℃℃
T
C
= 125
------
℃
200
250
300
350
400
10
100
1000
Eon
Eoff
C
ollector C
urrent, I
C
[A
]
S
i
J
Common Emitter
V
CC
= 300V, V
GE
= ± 15V
Rg = 10
T
C
= 25
℃ ℃℃
T
C
= 125
------
℃
200
250
300
350
400
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
S
i
e
C
ollector C
urrent, I
C
[A
]
Tr
Ton
Common Emitter
V
= 300V, V
GE
= ± 15V
Rg = 10
T
C
= 25
℃ ℃℃
T
C
= 125
------
℃
200
250
300
350
400
1
2
3
4
5
6
7
Tf
Toff
S
i
e
C
ollector C
urrent, I
C
[A
]
Common Emitter
V
CC
= 300V, V
GE
= ± 15V
Rg = 10
T
C
= 25
℃ ℃℃
T
C
= 125
------
℃
Fig 5. Turn-Off Characteristics vs.
Gate Resistance
Fig 6. Turn-On Characteristics vs.
Gate Resistance
Fig 1. Typical Output Characteristics
Fig 2. Turn-Off Characteristics vs.
Collector Current
Fig 3. Turn-On Characteristics vs.
Collector Current
Fig 4. Switching Loss vs. Collector Current
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PDF描述
FMG2G300US60E Molding Type Module
FMG2G300US60 Molding Type Module
FMG2G400LS60 Molding Type Module
FMG2G400US60 Molding Type Module
FMG2G50US120 Molding Type Module
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參數(shù)描述
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FMG2G300US60E 功能描述:IGBT 模塊 Molding Type Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FMG2G300US60E_Q 功能描述:IGBT 晶體管 Molding Type Module RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
FMG2G400LS60 功能描述:IGBT 模塊 600V 400A IGBT Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FMG2G400LS60_Q 功能描述:IGBT 模塊 600V 400A IGBT Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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