參數(shù)資料
型號: FMMV109
廠商: ZETEX PLC
元件分類: 參考電壓二極管
英文描述: SOT23 SILICON PLANAR VARIABLE CAPACITANCE DIODE
中文描述: 30 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE
文件頁數(shù): 1/1頁
文件大小: 35K
代理商: FMMV109
SOT23 SILICON PLANAR
VARIABLE CAPACITANCE DIODE
ISSUE 4 – JANUARY 1998
PIN CONFIGURATION
PARTMARKING DETAIL
FMMV109 – 4A
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature Range
P
tot
T
j
:T
stg
330
mW
-55 to +150
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Reverse Breakdown
Voltage
V
BR
30
V
I
R
= 10
μ
A
Reverse current
I
R
10
nA
V
R
= 25V
Series Inductance
L
S
3.0
nH
f=250MHz
Diode Capacitance
Temperature
Coefficient
T
CC
280
ppm/ °C
V
R
= 3V, f=1MHz
Case Capacitance
C
C
0.1
pF
f=1MHz
TUNING CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Diode Capacitance
C
d
26
32
pF
V
R
= 3V, f=1MHz
Capacitance Ratio
C
d
/ C
d
5.0
6.5
V
R
= 3V/25V, f=1MHz
Figure of MERIT
Q
200
250
V
R
= 3V, f=50MHz
Spice parameter data is available upon request for this device
FMMV109
1
3
2
SOT23
1
3
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