參數(shù)資料
型號(hào): FMS6690MTC20X
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 消費(fèi)家電
英文描述: Six Channel, 6th Order SD/PS/HD Video Filter Driver
中文描述: SPECIALTY CONSUMER CIRCUIT, PDSO20
封裝: ROHS COMPLIANT, MO-153AC, TSSOP-20
文件頁(yè)數(shù): 4/10頁(yè)
文件大?。?/td> 96K
代理商: FMS6690MTC20X
FMS6690 Rev. 2A
4
www.fairchildsemi.com
F
High Definition Electrical Characteristics
T
c
= 25°C, V
in
= 1V
pp
, V
cc
= 5V, R
source
= 37.5
, F
cSEL
= 1, all inputs AC coupled with 0.1uF, all outputs
AC coupled with 220uF into 150
loads, referenced to 400kHz; unless otherwise noted
Notes:
1. 100% tested at 25°C
2. SNR = 20 * log (714mV / rms noise)
Symbol
Parameter
Conditions
Min.
Typ.
Max
Units
AV
HD
f
1dBHD
f
cHD
f
SBHD
THD
Channel Gain
1
-1dB Bandwidth
1
-3dB Bandwidth
1
Attenuation(stopband reject)
1
All HD Channels
5.6
6.0
6.4
dB
All HD Channels
28
31
MHz
All HD Channels
30
34
MHz
All HD Channels at f = 74.25MHz
30
41
dB
Output Distortion (all HD
channels)
V
OUT
= 1.4V
pp
, 22MHz
0.9
%
X
TALKHD
SNR
Crosstalk (ch-to-ch)
Signal-to-Noise Ratio
2
at 1MHz
-54
dB
unweighted, 100kHz to 30MHz
60
dB
t
pdHD
Propagation Delay
Delay from input to output
25
ns
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PDF描述
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參數(shù)描述
FMS6G10US60 功能描述:IGBT 模塊 600V 10A MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FMS6G10US60S 功能描述:IGBT 模塊 600V 10A MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FMS6G15US60 功能描述:IGBT 模塊 600V 15A MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FMS6G15US60S 功能描述:IGBT 模塊 600V 15A MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FMS6G20US60 功能描述:IGBT 模塊 IGBT Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: