參數(shù)資料
型號(hào)： FMS6G10US60S
廠(chǎng)商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： IGBT 晶體管
英文描述： Compact & Complex Module
中文描述： 10 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： 25PM-AA, 25 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 6/10頁(yè)
文件大?。?/td> 790K
代理商： FMS6G10US60S
6
www.fairchildsemi.com
FMS6G10US60S Rev. B1
F
Typical Performance Characteristics
(Continued)
Figure 7. Capacitance Characteristics
Figure 8. Turn-On Characteristics vs. Gate
Resistance
Figure 9. Turn-Off Characteristics vs.
Gate Resistance
Figure 10. Switching Loss vs. Gate Resistance
Figure 11. Turn-On Characteristics vs.
Collector Current
Figure 12. Turn-Off Characteristics vs.
Collector Current
0.1
1
10
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
Common Emitter
V
GE
= 0 V, f = 1 MHz
T
C
= 25
o
C
C
res
C
oes
C
ies
C
a
C
ollector - Em
itter Voltage, V
C
E
[V]
20
40
60
80
100
120
140
100
1000
Common Emitter
V
CC
= 300 V, V
GE
= ± 15 V
I
C
= 10 A
T
C
= 25
℃ ℃℃
T
C
= 125
------
℃
Tr
Ton
S
i
e
G
ate R
esistance, R
G
[
]
20
40
60
80
100
120
140
100
1000
Common Emitter
V
= 300 V, V
GE
= ± 15 V
I
C
= 10 A
T
C
= 25
℃ ℃℃
T
C
= 125
------
℃
Tf
Toff
Tf
S
i
e
G
ate R
esistance, R
G
[
]
20
40
60
80
100
120
140
100
1000
Common Emitter
V
CC
= 300 V, V
GE
= ± 15 V
I
C
= 10 A
T
C
= 25
℃ ℃℃
T
C
= 125
------
℃
Eoff
Eoff
Eon
S
i
G
ate R
esistance, R
G
[
]
5
10
15
20
100
1000
Common Emitter
V
GE
= ± 15 V, R
G
= 20
T
C
= 25
℃ ℃℃
T
C
= 125
------
℃
Tf
Toff
Toff
Tf
S
i
e
C
ollector C
urrent, I
C
[A
]
5
10
15
20
100
1000
Common Emitter
V
GE
= ± 15 V, R
G
= 20
T
C
= 25
℃ ℃℃
T
C
= 125
------
℃
Tr
Ton
S
i
e
C
ollector C
urrent, I
C
[A
]
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